該LD7530M/LD7530N是專門為低許多功能整合和系統總成本在一個小型SOT- 26封裝通常需要保護許多額外的元件或電路的一般設計。此外，可編程延遲時間的功能是口腔扁平苔癬降低電路的復雜性，從而有助于權力電路設計人員可以輕松地處理高峰負荷設計用最少的元件成本和開發時間。并滿足不同的設計，2 OVP的各級版本實施------28.0V±2.0V的LD7530M。---21.0V±2.0V的LD7530N。特點 高電壓CMOS工藝具有優良的ESD保護非常低啟動電流“（<30μA的）電流模式控制非可聽噪聲控制的綠色模式UVLO（欠壓鎖定）前沿消隱在CS（前沿消隱）引腳內部斜率補償過壓保護（過電壓保護）的VCC引腳扁平苔蘚（過負荷保護）和可編程定時器300mA的驅動能力