等离子体刻蚀设备的原理是在真空状态下，利用射频辐射使得氧、氩、氮、四氟化碳等气体生成具有高反应活性的离子与器件等反应形成挥发性化合物，然后由真空系统将这些挥发性物质清除出去。

等离子刻蚀设备应用于硅片边沿的硅磷层，扩散过程中，不但硅片的表面扩散了磷，边缘也扩散了磷，这会导致硅片正反两极通过边缘导通短路。所以必须将硅片边缘这层被扩散的硅磷去掉。其原理是在放电状态下反应气体和硅片边缘的硅发生反应，反应形粉末和气态物质后随气流一起抽走。