供应德国IXYS IXFN30N120P
深圳市天力源电子科技有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
IXY美国电报半导体/IXFN30N120P
材料
IGBT绝缘栅比极
电压等级
1200V
型号
IXFN30N120P
种类
结型JFET
品牌
IXY美国电报半导体
电流
30A
沟道类型
N沟道
用途
TC/小型器件标志
封装
SOT-227B
导电方式
耗尽型
