铜线设计制作技术-形成铜,薄膜
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1 200610164676 形成铜线的方法[简介]： 本发明涉及形成铜线的方法。根据本发明的实施例，该方法可以包括如下步骤：在半导体衬底上形成绝缘层；在该绝缘层上形成铜线图案，并形成铜线；通过反应预清洗处理去除在形成铜线的步骤中形成于该铜线表面上的铜氧化物层；以及在不影响反应预清洗处理和真空状态的情况下，在该铜线和该绝缘层上沉积覆盖层。2 201010114118 形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构[简介]： 本发明公开了一种形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构。该方法首先在铜互连结构中制造一个铜导电图形以及至少一个与所述铜导电图形相连的铜通孔栓；刻蚀掉所述铜通孔栓周围的绝缘层及刻蚀停止层，使所述铜通孔栓的上表面、侧面及所述铜导电图形的部分上表面露出；在所得结构表面形成介电层，之后在所得结构的凹陷区域填充保护材料；刻蚀其他铜导电图形所需的通孔和沟槽；然后去除所述保护材料；在除去所述保护材料后的凹陷区域以及刻蚀出的通孔和沟槽中镀铜，得到铜互连MIM电容器结构。本发明与铜互连制程工艺兼容的同时，可在有限的电极面积内，进一步增大电容器容量，简化工艺步骤，节约生产成本。3 02160423 形成铜金属线的方法[简介]： 本发明涉及一种在半导体装置内形成铜金属线的方法。一贯穿孔插塞及一铜金属线使用一单一金属镶嵌制造工艺来独立地形成。一缓冲膜形成在该贯穿孔插塞及该铜金属线之间。因此防止由于在后续制造工艺中的热应力及铜原子的扩散所造成的一贯穿孔的成品率降低是有可能的。因此，其可改善铜金属线的成品率。4 201110239237 一种形成铜互连的方法[简介]： 本发明涉及一种形成铜互连的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成低介电材料层；在所述低介电材料层中蚀刻出通孔和槽；在所述通孔和槽中形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成Cu层和Cu合金层；回流退火所述Cu合金层，使Cu合金层中的合金素扩散到下部的Cu层中，从而有效改善铜互连的电迁移可靠性。5 02159828 半导体器件内形成铜引线的方法[简介]： 本发明涉及一种在半导体器件中形成铜引线的方法。本发明被发明出以防止因去除为形成镶嵌图案而对一低介电膜的一部分进行蚀刻时所产生的聚合物的湿法清洗工艺中或光致抗蚀剂图案的剥离工艺中有机溶剂、蚀刻气体等渗入裸露于镶嵌图案侧面的低介电膜，而造成的低介电膜的介电常数的升高以及铜扩散抑制膜的不良沉积。为了实现这些目的，聚合物层利用SiHSUB4SUB等离子体变为SiCH薄膜，而无需清除该镶嵌图案侧面形成的聚合物层。因此，由于SiCH薄膜具有致密薄膜的品质和优良的机械强度，有机溶剂或蚀刻气体的渗透能够被防止。同样，该SiCH薄膜作为铜扩散抑制膜，并在结构上支撑具有弱机械强度的多孔低介电膜。6 201010162432 一种形成铜接触互连结构的方法[简介]： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为，在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层，然后进行铜材料的填充，从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Si的三金属氮化物，或含C的三金属氮化物，金属为难熔金属，该扩散阻挡层的电阻率在100-1000Ωcm之间，厚度在2-50纳米之间。本发明可在半导体件中源漏与互连之间形成高质量的、黏附性好的铜接触互连结构。7 03101493 在半导体组件上形成铜线的方法[简介]： 本发明提供一种能够防止铜的自然氧化的在半导体组件上形成铜线的方法。本发明的在半导体组件上形成铜线的方法包括下列步骤：于一半导体基板上形成一具有通孔与沟槽的绝缘膜图样；通过用铜填充通孔与沟槽而形成一铜线；顺序地在铜线与绝缘膜图样上形成一覆盖层cappinglayer与一保护层；通过选择性地去除覆盖层与保护层而露出铜线；以及，在铜线上形成一氧化防止层。依照本发明的在半导体组件上形成铜线的方法，有下列优点：铜的自然氧化可借着在铜线脚位上选择性的沉积铝而得到避免，因此在高温中测试其可靠度时，可得到稳定的评价结果；而且，因为铝比铜的接触阻抗低，所以在其电气特性的测试中，可得到令人信赖的测试结果。8 01259036 铆接形成内凹孔缘铜盖的扬声器铁芯[简介]： 一种铆接形成内凹孔缘铜盖的扬声器铁芯。为提供一种提高铁芯与铜盖的结合紧密度、有效防止产生震动杂音的音响装置部件提出本实用新型它包括延设中心柱的铁芯及设置于铁芯中心柱上端的铜盖中心柱顶面形成有中心凹孔铜盖顶端中央处设有与中心凹孔相对应的中心通孔铜盖中心通孔处形成与中心柱顶面的中心凹孔孔缘密合的内凹孔缘。9 03147509 在半导体器件中形成铜引线的方法[简介]： 本发明公开了一种在半导体器件中形成铜引线的方法。沿着包括镶嵌图案的层间绝缘膜的表面连续形成铜阻挡金属层和铜种层。将晶片载入已填入镀铜溶液的电镀设备上，并将负－电源施加至晶片，如此进行镀铜，使得充分填满镶嵌图案，由此形成铜层。然后，通过将负－电源变更成正+电源，经由电抛光工艺在电镀溶液中抛光铜层。据此，位于整个晶片上的铜层表面为平坦表面。之后，执行化学机械研磨工艺，直到暴露层间绝缘膜的表面，由此在镶嵌图案内形成铜引线。如此，在电镀溶液中蚀刻电镀工艺所电镀的铜层的非平坦表面，由此使铜层表面平坦化，并使铜层厚度变薄。因此可防止在后续化学机械研磨工艺中出现凹形现象或侵蚀现象。10 00136108 在半导体器件中形成铜配线的方法[简介]： 本发明公开一种在半导体器件中形成铜配线的方法。本方法使用金属有机化学气相沉积工艺技术用111555－六*－24－戊二酮33－二甲基－1－丁烯－铜I下文称为hfacCuDMB化合物作为铜母材通过优化设定镀铜设备工艺条件实施其中镀铜设备具有扩散器、直接液体喷射器DLI、控制气化混合器CEM或小孔式或喷嘴式气化器。这样不仅能实现镀铜工艺重现性而且能得到膜质量良好的铜薄膜。11-(wx:7001-30046) 在半导体器件中形成铜配线的方法 12-(wx:7001-30046) 在半导体器件中形成铜布线的方法 13-(wx:7001-30046) 在半导体器件中形成铜布线的方法 14-(wx:7001-30046) 通过非电解镀形成铜薄膜的镀件 15-(wx:7001-30046) 形成可靠铜互连器的方法 16-(wx:7001-30046) 形成自对准铜覆盖层的方法 17-(wx:7001-30046) 形成铜内连线结构的金属氧化障壁层的方法 18-(wx:7001-30046) 铜溅射靶和形成铜溅射靶的方法 19-(wx:7001-30046) 一种形成第一铜金属层的方法 20-(wx:7001-30046) 铜薄膜形成方法 21-(wx:7001-30046) 双轴取向的聚酯薄膜和它与铜形成的层压板 22-(wx:7001-30046) 通过气相沉积形成连续铜薄膜的方法 23-(wx:7001-30046) 用于通过化学镀铜形成图案化铜线条的系统和方法 24-(wx:7001-30046) 含铜膜形成方法 25-(wx:7001-30046) 铜互连布线和形成铜互连布线的方法 26-(wx:7001-30046) 铜配线的形成方法 27-(wx:7001-30046) 形成具有铜互连的导电凸块的方法和系统 28-(wx:7001-30046) 非真空形成铜铟镓硫硒吸收层及硫化镉缓冲层的方法及系统 29-(wx:7001-30046) 镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法 30-(wx:7001-30046) 铜扩散阻挡层的形成 31-(wx:7001-30046) 含铜氧化物的形成方法 32-(wx:7001-30046) 铜互连结构的形成方法 33-(wx:7001-30046) 铜互连结构的形成方法 34-(wx:7001-30046) 电容器层形成用的双面覆铜箔层合板及其制造方法 35-(wx:7001-30046) 形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法 36-(wx:7001-30046) 铜配线图案形成方法以及用于其中的氧化铜粒子分散液 37-(wx:7001-30046) 用于形成包含导电封盖层的铜基金属化层的技术 38-(wx:7001-30046) 铜焊构件以及在铜焊构件中形成铜焊连结的方法 39-(wx:7001-30046) 铜互连结构及其形成方法 40-(wx:7001-30046) 铜互连结构及其形成方法 41-(wx:7001-30046) 形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法及多层半导体装置 42-(wx:7001-30046) 通过提供补强层以形成埋置于低K电介质中的含铜线的技术 43-(wx:7001-30046) 形成具有改进的界面和粘合力的铜互连封盖层的方法 44-(wx:7001-30046) 在基底上制作集成电路及形成均匀铜内联机的方法 45-(wx:7001-30046) 铜与等离子体改性后的碳纤维结合形成的新型铜 46-(wx:7001-30046) 具有用于形成密闭空间的混合接合结构的铜部件及其接合方法 47-(wx:7001-30046) 在金属材料表面形成含电介质填料的聚酰亚胺覆盖膜的方法和印刷配线板用的电容器层形成用的包铜层压板的制造方法以及用该制造方法制得的包铜层压板 48-(wx:7001-30046) 半导体装置及内联机结构的形成方法及铜制程整合方法 49-(wx:7001-30046) 铜互连线的形成方法及电镀装置 50-(wx:7001-30046) 包含在其表面上形成的Cu－腈化合物络合物的二次电池用铜集电体 51-(wx:7001-30046) 金属铜分散液和其制造方法，以及使用它形成的电极、布线图案、涂膜、形成该涂膜的装饰物品、抗菌性物品和它们的制造方法 52-(wx:7001-30046) 铜互连布线及其形成方法和装置 53-(wx:7001-30046) 印刷电路板的内置电容层形成用的含有电介质填料的树脂及用该含有电介质填料的树脂形成了电介质层的双面镀铜箔叠层板及该双面镀铜箔叠层板的制造方法 54-(wx:7001-30046) 在铜和不锈钢之间形成接头的方法 55-(wx:7001-30046) 在铜金属图案表面形成密封层的方法 56-(wx:7001-30046) 一种铜大马士革结构的形成方法 57-(wx:7001-30046) 铜金属化自形成阻挡层低温退火方法 58-(wx:7001-30046) 铜络合物和利用该铜络合物形成含铜薄膜的方法 59-(wx:7001-30046) 粘接层形成液、使用该液的铜和树脂的粘接层的制造方法及其层压体 60-(wx:7001-30046) 铜层及铜镶嵌结构的形成方法 61-(wx:7001-30046) 在铜内连线上形成选择性保护层的方法 62-(wx:7001-30046) 用铜线形成半导体器件内引线的方法 63-(wx:7001-30046) 在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法 64-(wx:7001-30046) 一种铜材料表面形成无机覆盖层的电化学方法 65-(wx:7001-30046) 具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法 66-(wx:7001-30046) 一种在铜电极表面形成自组装缓蚀膜的方法 67-(wx:7001-30046) 利用铝的防止铜扩散膜的形成方法 68-(wx:7001-30046) 铜催化形成碳－杂原子和碳－碳键的方法 69-(wx:7001-30046) 具有铜金属布线的半导体器件及其形成方法 70-(wx:7001-30046) 铜互连线的形成方法和介质层的处理方法 71-(wx:7001-30046) 铜绿假单胞菌生物被膜形成相关基因fimL及应用 72-(wx:7001-30046) 以无电镀方式在铜金属上形成阻障层的方法 73-(wx:7001-30046) 铜互连结构的形成方法及用于该方法的CMP设备 74-(wx:7001-30046) 用于铜互连的氮化钴层及它们的形成方法 75-(wx:7001-30046) 在铜镶嵌制程中形成金属－绝缘－金属型MIM电容器的方法 76-(wx:7001-30046) 一种在HSn70－1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法 77-(wx:7001-30046) 在无铜的金属反射层上形成保护层的方法 78-(wx:7001-30046) 在铜表面形成具有荧光特性的氨基酸自组装缓蚀膜的方法 79-(wx:7001-30046) 用于印刷电路板的镀铬的铜的形成方法 80-(wx:7001-30046) 成型体、其制造方法、以及使用该成型体而形成的交联成型体及覆铜层压板 81-(wx:7001-30046) 生产集成电路时由高纯铜电镀形成导体结构的方法 82-(wx:7001-30046) 一种降低铜的化学机械抛光形成表面蝶形凹陷的方法 83-(wx:7001-30046) 易于通过熔体铜模浇铸形成非晶态结构的不含镍的锆合金 84-(wx:7001-30046) 一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法 85-(wx:7001-30046) 铜－催化的碳－杂原子键和碳－碳键的形成 86-(wx:7001-30046) 蚀刻液和使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法 87-(wx:7001-30046) 柔性铜衬底用阻挡膜和用于形成阻挡膜的溅射靶 88-(wx:7001-30046) ULSI半导体器件的具有自组装单分子层的铜线及形成方法 89-(wx:7001-30046) 用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法 90-(wx:7001-30046) 用锡或锡合金层在铜或铜合金上形成镀覆表面的方法 91-(wx:7001-30046) 铜籽晶层沉积温度的监测方法及铜层的形成方法 92-(wx:7001-30046) 一种控制硫化铜矿生物浸出液萃取过程中第三相形成的新工艺 93-(wx:7001-30046) 具有绝缘层形成用树脂层的带载体箔的电解铜箔、覆铜箔层压板、印刷电路板、多层覆铜箔层压板的制造方法及印刷电路板的制造方法 94-(wx:7001-30046) 应用离子选择电极控制硫化铜矿生物浸出液萃取过程中第三相形成的工艺 95-(wx:7001-30046) 在半导体器件制造中用于直接镀铜和填充而形成互连的方法和组合物 96-(wx:7001-30046) 用于制造印刷电路板绝缘夹层的树脂混合料用该树脂混合料制造的用于形成绝缘层的树脂片、覆有树脂的铜箔以及用它们制成的覆铜层压板 97-(wx:7001-30046) 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 98-(wx:7001-30046) 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 99-(wx:7001-30046) 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 100-(wx:7001-30046) 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 101-(wx:7001-30046) 防止镍从铜合金的润湿设备中洗脱的方法、用于防止镍洗脱的保护膜形成剂以及用于防止镍洗脱的洗涤剂
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1 200610164676 形成铜线的方法[简介]： 本发明涉及形成铜线的方法。根据本发明的实施例，该方法可以包括如下步骤：在半导体衬底上形成绝缘层；在该绝缘层上形成铜线图案，并形成铜线；通过反应预清洗处理去除在形成铜线的步骤中形成于该铜线表面上的铜氧化物层；以及在不影响反应预清洗处理和真空状态的情况下，在该铜线和该绝缘层上沉积覆盖层。2 201010114118 形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构[简介]： 本发明公开了一种形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构。该方法首先在铜互连结构中制造一个铜导电图形以及至少一个与所述铜导电图形相连的铜通孔栓；刻蚀掉所述铜通孔栓周围的绝缘层及刻蚀停止层，使所述铜通孔栓的上表面、侧面及所述铜导电图形的部分上表面露出；在所得结构表面形成介电层，之后在所得结构的凹陷区域填充保护材料；刻蚀其他铜导电图形所需的通孔和沟槽；然后去除所述保护材料；在除去所述保护材料后的凹陷区域以及刻蚀出的通孔和沟槽中镀铜，得到铜互连MIM电容器结构。本发明与铜互连制程工艺兼容的同时，可在有限的电极面积内，进一步增大电容器容量，简化工艺步骤，节约生产成本。3 02160423 形成铜金属线的方法[简介]： 本发明涉及一种在半导体装置内形成铜金属线的方法。一贯穿孔插塞及一铜金属线使用一单一金属镶嵌制造工艺来独立地形成。一缓冲膜形成在该贯穿孔插塞及该铜金属线之间。因此防止由于在后续制造工艺中的热应力及铜原子的扩散所造成的一贯穿孔的成品率降低是有可能的。因此，其可改善铜金属线的成品率。4 201110239237 一种形成铜互连的方法[简介]： 本发明涉及一种形成铜互连的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成低介电材料层；在所述低介电材料层中蚀刻出通孔和槽；在所述通孔和槽中形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成Cu层和Cu合金层；回流退火所述Cu合金层，使Cu合金层中的合金素扩散到下部的Cu层中，从而有效改善铜互连的电迁移可靠性。5 02159828 半导体器件内形成铜引线的方法[简介]： 本发明涉及一种在半导体器件中形成铜引线的方法。本发明被发明出以防止因去除为形成镶嵌图案而对一低介电膜的一部分进行蚀刻时所产生的聚合物的湿法清洗工艺中或光致抗蚀剂图案的剥离工艺中有机溶剂、蚀刻气体等渗入裸露于镶嵌图案侧面的低介电膜，而造成的低介电膜的介电常数的升高以及铜扩散抑制膜的不良沉积。为了实现这些目的，聚合物层利用SiHSUB4SUB等离子体变为SiCH薄膜，而无需清除该镶嵌图案侧面形成的聚合物层。因此，由于SiCH薄膜具有致密薄膜的品质和优良的机械强度，有机溶剂或蚀刻气体的渗透能够被防止。同样，该SiCH薄膜作为铜扩散抑制膜，并在结构上支撑具有弱机械强度的多孔低介电膜。6 201010162432 一种形成铜接触互连结构的方法[简介]： 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为，在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层，然后进行铜材料的填充，从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Si的三金属氮化物，或含C的三金属氮化物，金属为难熔金属，该扩散阻挡层的电阻率在100-1000Ωcm之间，厚度在2-50纳米之间。本发明可在半导体件中源漏与互连之间形成高质量的、黏附性好的铜接触互连结构。7 03101493 在半导体组件上形成铜线的方法[简介]： 本发明提供一种能够防止铜的自然氧化的在半导体组件上形成铜线的方法。本发明的在半导体组件上形成铜线的方法包括下列步骤：于一半导体基板上形成一具有通孔与沟槽的绝缘膜图样；通过用铜填充通孔与沟槽而形成一铜线；顺序地在铜线与绝缘膜图样上形成一覆盖层cappinglayer与一保护层；通过选择性地去除覆盖层与保护层而露出铜线；以及，在铜线上形成一氧化防止层。依照本发明的在半导体组件上形成铜线的方法，有下列优点：铜的自然氧化可借着在铜线脚位上选择性的沉积铝而得到避免，因此在高温中测试其可靠度时，可得到稳定的评价结果；而且，因为铝比铜的接触阻抗低，所以在其电气特性的测试中，可得到令人信赖的测试结果。8 01259036 铆接形成内凹孔缘铜盖的扬声器铁芯[简介]： 一种铆接形成内凹孔缘铜盖的扬声器铁芯。为提供一种提高铁芯与铜盖的结合紧密度、有效防止产生震动杂音的音响装置部件提出本实用新型它包括延设中心柱的铁芯及设置于铁芯中心柱上端的铜盖中心柱顶面形成有中心凹孔铜盖顶端中央处设有与中心凹孔相对应的中心通孔铜盖中心通孔处形成与中心柱顶面的中心凹孔孔缘密合的内凹孔缘。9 03147509 在半导体器件中形成铜引线的方法[简介]： 本发明公开了一种在半导体器件中形成铜引线的方法。沿着包括镶嵌图案的层间绝缘膜的表面连续形成铜阻挡金属层和铜种层。将晶片载入已填入镀铜溶液的电镀设备上，并将负－电源施加至晶片，如此进行镀铜，使得充分填满镶嵌图案，由此形成铜层。然后，通过将负－电源变更成正+电源，经由电抛光工艺在电镀溶液中抛光铜层。据此，位于整个晶片上的铜层表面为平坦表面。之后，执行化学机械研磨工艺，直到暴露层间绝缘膜的表面，由此在镶嵌图案内形成铜引线。如此，在电镀溶液中蚀刻电镀工艺所电镀的铜层的非平坦表面，由此使铜层表面平坦化，并使铜层厚度变薄。因此可防止在后续化学机械研磨工艺中出现凹形现象或侵蚀现象。10 00136108 在半导体器件中形成铜配线的方法[简介]： 本发明公开一种在半导体器件中形成铜配线的方法。本方法使用金属有机化学气相沉积工艺技术用111555－六*－24－戊二酮33－二甲基－1－丁烯－铜I下文称为hfacCuDMB化合物作为铜母材通过优化设定镀铜设备工艺条件实施其中镀铜设备具有扩散器、直接液体喷射器DLI、控制气化混合器CEM或小孔式或喷嘴式气化器。这样不仅能实现镀铜工艺重现性而且能得到膜质量良好的铜薄膜。11-(wx:7001-30046) 在半导体器件中形成铜配线的方法 12-(wx:7001-30046) 在半导体器件中形成铜布线的方法 13-(wx:7001-30046) 在半导体器件中形成铜布线的方法 14-(wx:7001-30046) 通过非电解镀形成铜薄膜的镀件 15-(wx:7001-30046) 形成可靠铜互连器的方法 16-(wx:7001-30046) 形成自对准铜覆盖层的方法 17-(wx:7001-30046) 形成铜内连线结构的金属氧化障壁层的方法 18-(wx:7001-30046) 铜溅射靶和形成铜溅射靶的方法 19-(wx:7001-30046) 一种形成第一铜金属层的方法 20-(wx:7001-30046) 铜薄膜形成方法 21-(wx:7001-30046) 双轴取向的聚酯薄膜和它与铜形成的层压板 22-(wx:7001-30046) 通过气相沉积形成连续铜薄膜的方法 23-(wx:7001-30046) 用于通过化学镀铜形成图案化铜线条的系统和方法 24-(wx:7001-30046) 含铜膜形成方法 25-(wx:7001-30046) 铜互连布线和形成铜互连布线的方法 26-(wx:7001-30046) 铜配线的形成方法 27-(wx:7001-30046) 形成具有铜互连的导电凸块的方法和系统 28-(wx:7001-30046) 非真空形成铜铟镓硫硒吸收层及硫化镉缓冲层的方法及系统 29-(wx:7001-30046) 镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法 30-(wx:7001-30046) 铜扩散阻挡层的形成 31-(wx:7001-30046) 含铜氧化物的形成方法 32-(wx:7001-30046) 铜互连结构的形成方法 33-(wx:7001-30046) 铜互连结构的形成方法 34-(wx:7001-30046) 电容器层形成用的双面覆铜箔层合板及其制造方法 35-(wx:7001-30046) 形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法 36-(wx:7001-30046) 铜配线图案形成方法以及用于其中的氧化铜粒子分散液 37-(wx:7001-30046) 用于形成包含导电封盖层的铜基金属化层的技术 38-(wx:7001-30046) 铜焊构件以及在铜焊构件中形成铜焊连结的方法 39-(wx:7001-30046) 铜互连结构及其形成方法 40-(wx:7001-30046) 铜互连结构及其形成方法 41-(wx:7001-30046) 形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法及多层半导体装置 42-(wx:7001-30046) 通过提供补强层以形成埋置于低K电介质中的含铜线的技术 43-(wx:7001-30046) 形成具有改进的界面和粘合力的铜互连封盖层的方法 44-(wx:7001-30046) 在基底上制作集成电路及形成均匀铜内联机的方法 45-(wx:7001-30046) 铜与等离子体改性后的碳纤维结合形成的新型铜 46-(wx:7001-30046) 具有用于形成密闭空间的混合接合结构的铜部件及其接合方法 47-(wx:7001-30046) 在金属材料表面形成含电介质填料的聚酰亚胺覆盖膜的方法和印刷配线板用的电容器层形成用的包铜层压板的制造方法以及用该制造方法制得的包铜层压板 48-(wx:7001-30046) 半导体装置及内联机结构的形成方法及铜制程整合方法 49-(wx:7001-30046) 铜互连线的形成方法及电镀装置 50-(wx:7001-30046) 包含在其表面上形成的Cu－腈化合物络合物的二次电池用铜集电体 51-(wx:7001-30046) 金属铜分散液和其制造方法，以及使用它形成的电极、布线图案、涂膜、形成该涂膜的装饰物品、抗菌性物品和它们的制造方法 52-(wx:7001-30046) 铜互连布线及其形成方法和装置 53-(wx:7001-30046) 印刷电路板的内置电容层形成用的含有电介质填料的树脂及用该含有电介质填料的树脂形成了电介质层的双面镀铜箔叠层板及该双面镀铜箔叠层板的制造方法 54-(wx:7001-30046) 在铜和不锈钢之间形成接头的方法 55-(wx:7001-30046) 在铜金属图案表面形成密封层的方法 56-(wx:7001-30046) 一种铜大马士革结构的形成方法 57-(wx:7001-30046) 铜金属化自形成阻挡层低温退火方法 58-(wx:7001-30046) 铜络合物和利用该铜络合物形成含铜薄膜的方法 59-(wx:7001-30046) 粘接层形成液、使用该液的铜和树脂的粘接层的制造方法及其层压体 60-(wx:7001-30046) 铜层及铜镶嵌结构的形成方法 61-(wx:7001-30046) 在铜内连线上形成选择性保护层的方法 62-(wx:7001-30046) 用铜线形成半导体器件内引线的方法 63-(wx:7001-30046) 在铜表面形成精氨酸自组装缓蚀膜的方法 64-(wx:7001-30046) 一种铜材料表面形成无机覆盖层的电化学方法 65-(wx:7001-30046) 具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法 66-(wx:7001-30046) 一种在铜电极表面形成自组装缓蚀膜的方法 67-(wx:7001-30046) 利用铝的防止铜扩散膜的形成方法 68-(wx:7001-30046) 铜催化形成碳－杂原子和碳－碳键的方法 69-(wx:7001-30046) 具有铜金属布线的半导体器件及其形成方法 70-(wx:7001-30046) 铜互连线的形成方法和介质层的处理方法 71-(wx:7001-30046) 铜绿假单胞菌生物被膜形成相关基因fimL及应用 72-(wx:7001-30046) 以无电镀方式在铜金属上形成阻障层的方法 73-(wx:7001-30046) 铜互连结构的形成方法及用于该方法的CMP设备 74-(wx:7001-30046) 用于铜互连的氮化钴层及它们的形成方法 75-(wx:7001-30046) 在铜镶嵌制程中形成金属－绝缘－金属型MIM电容器的方法 76-(wx:7001-30046) 一种在HSn70－1黄铜表面形成自组装单分子阻蚀膜的方法 77-(wx:7001-30046) 在无铜的金属反射层上形成保护层的方法 78-(wx:7001-30046) 在铜表面形成具有荧光特性的氨基酸自组装缓蚀膜的方法 79-(wx:7001-30046) 用于印刷电路板的镀铬的铜的形成方法 80-(wx:7001-30046) 成型体、其制造方法、以及使用该成型体而形成的交联成型体及覆铜层压板 81-(wx:7001-30046) 生产集成电路时由高纯铜电镀形成导体结构的方法 82-(wx:7001-30046) 一种降低铜的化学机械抛光形成表面蝶形凹陷的方法 83-(wx:7001-30046) 易于通过熔体铜模浇铸形成非晶态结构的不含镍的锆合金 84-(wx:7001-30046) 一种具有空气隙的铜大马士革互连结构的形成方法 85-(wx:7001-30046) 铜－催化的碳－杂原子键和碳－碳键的形成 86-(wx:7001-30046) 蚀刻液和使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法 87-(wx:7001-30046) 柔性铜衬底用阻挡膜和用于形成阻挡膜的溅射靶 88-(wx:7001-30046) ULSI半导体器件的具有自组装单分子层的铜线及形成方法 89-(wx:7001-30046) 用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法 90-(wx:7001-30046) 用锡或锡合金层在铜或铜合金上形成镀覆表面的方法 91-(wx:7001-30046) 铜籽晶层沉积温度的监测方法及铜层的形成方法 92-(wx:7001-30046) 一种控制硫化铜矿生物浸出液萃取过程中第三相形成的新工艺 93-(wx:7001-30046) 具有绝缘层形成用树脂层的带载体箔的电解铜箔、覆铜箔层压板、印刷电路板、多层覆铜箔层压板的制造方法及印刷电路板的制造方法 94-(wx:7001-30046) 应用离子选择电极控制硫化铜矿生物浸出液萃取过程中第三相形成的工艺 95-(wx:7001-30046) 在半导体器件制造中用于直接镀铜和填充而形成互连的方法和组合物 96-(wx:7001-30046) 用于制造印刷电路板绝缘夹层的树脂混合料用该树脂混合料制造的用于形成绝缘层的树脂片、覆有树脂的铜箔以及用它们制成的覆铜层压板 97-(wx:7001-30046) 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 98-(wx:7001-30046) 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 99-(wx:7001-30046) 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 100-(wx:7001-30046) 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 101-(wx:7001-30046) 防止镍从铜合金的润湿设备中洗脱的方法、用于防止镍洗脱的保护膜形成剂以及用于防止镍洗脱的洗涤剂
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