概要
CS8203S提供系统关断及静音控制功能。特殊的线路架
构增了抗噪声能力，减少了射频干扰。在FCC Part15
Class B标 准 下 仍 然 具 有 超 过20dB的 裕 量 ， 特 别 适 合
FM、CMMB、手机模拟电视等易受EMI干扰的应用。
CS8203S内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保
护芯片在常的工作条件下不被损坏。
CS8203S提供了SOP16的封装，额定的工作温度范
围为-40℃至85℃。
每通道输出功率
PO at 10% THD+N, VDD = 5V
RL = 8 Ω 1.78W(典型值)
RL = 4 Ω 3.10W(典型值)
PO at 1% THD+N, VDD = 3.6V
RL = 8 Ω 0.73W(典型值)
RL = 4 Ω 1.25W(典型值)
工作电压范围：2.5V到5.5V
超低EMI,无滤波输出符合FCC辐射标准
独特的AERC 技术和扩频技
术在FCC的限制下具有20dB的裕量
静音控制功能,集成的杂音抑制功能
高达88%的效率
低静态电流 (<8mA)
低关断电流 (＜0.1µA)
过流保护，短路保护和热保护
符合Rohs的无铅封装
应用:
便携音箱
便携DVD播放机
便携PC
数码相框
教学玩具
(Adaptive Edge Rate Control)
描述
Copyrig h t @Chips ta r Microel ectr o nics page 1
www.chipstar-ic.com Jul,2010 Rev.1.0
封装
SOP16L
其他客户要求的封装类型


CS8203S是第三代高效率，超低EMI，3.1W每通道的Ｄ
类立体声音频放大器。具有AB类放大器的性能和D类放
大器的效率。CS8203S在所有可能的输出电压瞬变情况
下，独创的
，从而减少了外部元件、PCB面积和系统成本，
简化了设计并且延长了电池寿命，所有这些优点
AERC(Adaptive Edge Rate Control)技术能
够主动控制输出FET的栅极跳变,大大降低了EMI, 避免了
传统D类由于感性负载的续流特性而起的高频辐射。零
死区时间技术使输出FET能够同时切换，而不会产生交
叉 导 通 ， 使 CS8203S保 持 前 最 高 水 平 的 效 率 和
THD+N性能。独特的扩频调