项目参数（Parameter）	符号（Symbol）	数值	单位（Unit）
功耗（Max Power Dissipation）	PM	300	mW
正向电流（Max Continuous Forward Current）	IFM	150	mA		晶片(CHIP)
反向电压（Max Reverse Voltage）	VRM	5	V		材质	InGaN
脉冲峰值电流（Peak Forward Current）	IFP	300	mA		顔色	暖白色
焊接温度/时间（Lead Soldering Temperature/Time）	TSOL	240/≤3S	℃/S		胶体（Colloid）
工作环境（Operating Temperature Range）	TOPR	-25~+85	℃		材质	环氧树脂
储存温度（Storage Temperature Range）	TSTR	-30~+100	℃		顔色	透明

项目参数（Parameter）	符号	最小值	一般值	值Max.	单位	测试条件
项目参数（Parameter）	Symbol	Min.	Typ.	值Max.	Unit	Condition
发光强度（Luminous Intensity）	Iv	40	/	50	LM	IF=150mA
发光角度（Viewing Angle）	2 1/2	/	35	/	deg	IF=150mA
峰值波长（Peak Wave Length）	λp	/	/	/	nm	IF=150mA
主波长（Dominant Wave Length）	λd	2800	/	3200	K	IF=150mA
频宽（Spectral Width at half height）	△λ	/	/	/	nm	IF=150mA
正向电压（Forward Voltage）	VF	3	/	3.4	V	IF=150mA
反向电流（Reverse Current）	IR	/	/	≤50	μA	VR=5V