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详细说明：

芯片内部集成650v耐高压POWERMOS，以满足低功耗的要求。待机模式下，通过降低工作频率来降低功耗同时输出稳定的工作电压。频率降低限制在20KHz/21.5KHz以下以避免产生音频噪声。在诸如开环、过压或由短路引起的过载等失效模式下，芯片通过内部的保护电路来使得芯片切换到重启动模式。通过内部精密电流峰值控制，变压器的尺寸和次级二极管的可以变得更小，从而来降低整个系统的成本。芯片具有用户定义软起动功能，以降低电磁干扰;工作电流可通过外部电阻调整; 同时芯片内部集成了输入欠压保护, 内置过热保护, 内置过载保护和开环保护, 自动重起期间可过压保护等保护功能。通过频率修调，以降低EMI,100KHz开关频率下，最大占空比72%,输出电流容差<±5%。芯片外围应用电路设计简单, DIP8封装，满足RoHS环保要求,低功耗待机模式,以满足欧盟要求。

产品特性：

* 过压、过流、过载、过温保护
* 极限输出功率调节
* 欠压锁定
* 内部集成高压MOSFET
* 自动重启
* 峰值电流补偿电路

产品应用：

主要应用于

• 小型开关电源
• 充电器
• 适配器
• LED照明电源
• DVD/DVB电源