AEM GcDiode超低容值静电保护器

AEM GcDiode静电保护器采用独有的玻璃陶瓷材料设计，通过专利制造工艺实现类似二极管的静电保护功能，具有快速响应和低箝位电压性能，同时具有极低电容值(0.25pF)，能够有效降低由于保护器件本身的寄生电容而带来的信号损失，非常适合使用在高速信号传输端口；另外还具有极低漏电流(<0.1nA)和高耐静电冲击能力等优越性能，与其他的静电保护器件相比，具有极佳的性价比。是USB、HDMI、Display port、E-SATA和IEEE1394等高速数据传输端口静电保护的最佳选择，能有效降低使用普通静电保护器件带来的信号失真。

特点:

• 以传导为主吸收为辅的方式耗散能量，有效抑制性能劣化，绝佳的稳定性及可靠性
• 超低漏电流(<0.1nA)，有效控制元件损耗
• 超低箝位电压，极好地抑制静电危害
• 极低寄生电容(0.25pF)，有效降低高速信号的负面影响
• 无极性，安装简便，通用性强