Cree是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的供应商。典型应用包括

• 双通道私人电台
• 宽带放大器
• 蜂窝基础设施
• 测试仪器
• 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器

Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。

SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括

• 高导热性
• 高击穿电场
• 高饱和电子漂移速度
• 高功率密度（每单位栅范围功率）

这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。

CGH40120F120-W RF Power GaN HEMT

Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28-volt rail, offers a general-purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, making the CGH40120F ideal for linear and compressed amplifier circuits. The transistor is available in a flange package.

FEATURES:  特性

• Up to 2.5 GHz Operation
• 20 dB Small Signal Gain at 1.0 GHz
• 15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
• 120 W Typical PSAT
• 70 % Efficiency at PSAT
• 28 V Operation

• Radar
• Broadband Amplifiers
• Data Link & Tactical Data Link