产品特点
高亮度:在相同的穿透率下,亮度可较传统扩散板提升。
优良的遮蔽效果:光源扩散及均匀化能力佳,遮蔽灯管效果优异。
高尺寸安定性:吸水翘曲量小,尺寸安定性优良。
优异的耐久性:在紫外线老化加速试验中,不易有黄化现象。
优异质量保证:全系列产品皆通过UL-94及RoHS禁用毒物测试。
"EML系列扩散板"是您在节能产品上最佳的选择 (减少灯管及光学膜片使用量)
应用范围
TFT LCD CCFL直下式背光模块。
TFT LCD LED 直下式背光模块。
CCFL/LED照明设备。
32" 8 CCFLs with EMS 32" 8 CCFLs with EML
扩散板规格
EMS系列

实现高品质GaN晶体
最近还出现了利用纳米压印技术进一步提高LED效率的可能性。古河机械金属、金泽工业大学、东芝机械以及早稻田大学副教授水野润的研究室利用纳米压印技术开发出了将GaN晶体的位错(位错:晶体中含有的线状缺陷。此前GaN晶体的位错密度高达1×109/c㎡以上,被认为是向LED流过大电流时导致发光效率降低的原因。)降至大约原来的1%的方法。
具体方法是:首先在原来的GaN晶体上形成SiO2薄膜,利用纳米压印技术形成几十个nm宽的小口;然后再次生长GaN晶体。这样,SiO2膜下方的GaN晶体的位错就不会到达上方的GaN晶体,由此能减少上方GaN晶体的位错。早稻田大学的水野教授介绍说,“我们试制了LED,确认该技术可提高输出功率并延长寿命。应该也能用于功率半导体”。
水野表示,该技术还有望降低LED的驱动电压。“由于位错少,以前必须达到140μm厚度的GaN晶体可大幅减薄至21μm以下”。
