数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（最大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 最大安装类型封装/外壳包装

FQP12N60C, FQPF12N60C

TO-220AB

High Voltage Switches for Power Processing

Passivation Material Change 14/May/2008

50

分离式半导体产品

FET - 单路

QFET™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

650 毫欧 @ 6A, 10V

600V

12A

4V @ 250µA

63nC @ 10V

2290pF @ 25V

51W

通孔

TO-220-3 整包

管件