N沟MOSF管IRF7401
SO8, N沟MOSFET
数据列表IRF7401PbF
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产品相片8-SOIC
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产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC
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标准包装| 4,000 |
类别| 分离式半导体产品 |
家庭| FET - 单路 |
系列| HEXFET® |
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
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FET 特点逻辑电平门
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开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4.1A, 4.5V
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漏极至源极电压(Vdss)20V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.7A
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Id 时的 Vgs(th)（最大）700mV @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 4.5V
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在 Vds 时的输入电容(Ciss)1600pF @ 15V
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功率 - 最大2.5W
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安装类型表面贴装
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封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
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供应商设备封装8-SO
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包装带卷 (TR)
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