N沟MOSF管IRF7403
数据列表IRF7403PbF
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产品相片8-SOIC
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产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC
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标准包装4,000 |
类别分离式半导体产品 |
家庭FET - 单路 |
系列HEXFET® |
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点逻辑电平门
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4A, 10V
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漏极至源极电压(Vdss)30V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
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Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs57nC @ 10V
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在 Vds 时的输入电容(Ciss)1200pF @ 25V
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功率 - 最大2.5W
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安装类型表面贴装
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