62mm C-Serien module with trench/field stop IGBT 3 and Emitter Controlled 3 diode
产品: IGBT Silicon Modules配置: Dual集电极—发射极最大电压VCEO: 600 V在25 C的连续集电极电流: 500 A最大工作温度:+ 150 C封装 / 箱体: 62 mm栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C
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