'一般特征外形接口尺寸(宽 x 高 x 深)重量控制器容量NAND 闪存垃圾回收抗震性振动S.M.A.R.TDRAM 高速缓存安全其它

2.5英寸
SATA 6Gb/s (兼容SATA 3Gb/s 及 SATA 1.5Gb/s)
100 x 69.85 x 7mm
最高重量:53g
三星 3核 MEX 控制器
750GB
1x nm 三星 Toggle DDR 2.0 NAND 闪存 (400Mbps)
支持
1,500G & 0.5ms (半正弦)
运行:随机振动: 2.17Grms (7~800Hz) 非运行:随机振动: 3.08Grms (7~800Hz)
支持
1GB LPDDR2
AES 256位 全盘加密 (FDE) 支持TCG-OPAL/eDrive (自2013年10月始)
支持全球名称 (WWN), LED 指示灯

性能连续读取连续写入Random Read (4KB, QD32)Random Write (4KB, QD32)Random Read (4KB, QD1)Random Write (4KB, QD1)

最大 540 MB/s
最大 520 MB/s
最大 98,000 IOPS
最大 90,000 IOPS
最大 10,000 IOPS
最大 33,000 IOPS

环境温度可靠性(MTBF)工作温度湿度

平均故障间隔时间:1,5 00,000小时
运行:0°C 至 70°C 非运行:-55°C 至 95°C
5% 至 95%, 不凝结

保修期

3 年有限保修

支持支持

TRIM支持(需要操作系统支持)

电源功耗(最大)电源功耗(最大)

平均功耗 : 0.1W **** (典型) 待机功耗 : 0.045W (典型, DIPM开启)

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