晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:33A;电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.052ohm;电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V;功耗:94W
封装类型:TO-220AB;针脚数:3
功率, Pd:94W;器件标记:IRF540N
封装类型:TO-220AB;引脚节距:2.54mm
晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET;温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C;热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V;电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:27A;电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装;针脚格式:1 g;2 d/tab;3 s
针脚配置:a;阈值电压, Vgs th 典型值:4V