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P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
P沟道增强型MOS场效应管
■MAXIMUMRATINGS額定值
Characteristic/特性參數 | Symbol 符號 | Max/值 | Unit/單位 |
Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 | BVDSS | -20 | V |
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 | VGS | +10 | V |
Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 | ID | -2.8 | A |
Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 | IDM | -10 | A |
Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲25℃ | PD | 900 | mW |
| Junction 結溫 | TJ | 150 | ℃ |
| Storage Temperature 儲存溫度 | Tstg | -55to+150 | ℃ |
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