011 金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法
[摘要] 一种ＭＩＭ／ＭＩＳ电子源包括导电层１０１，形成在导电层１０１上的绝缘层１０３，和形成在绝缘层１０３上的第二导电层１０４，在和第二导电层１０１、１０４之间施加电压，使得在绝缘层１０３中产生沟道电

027 带有MIS(金属-绝缘体-半导体)_集成电容器的单片集成电路
[摘要] 为了采用硅栅工艺实现高质量MIS集成电容器，硅电极是以条纹形状形成的，其边长与边宽比大于100:1.该MIS集成电容器尤其适用于降

057 使用硬掩膜金属绝缘体金属电容器的形成
[摘要] 本技术提供了一种制造金属绝缘体金属(MIM)电容器的方法。在此方法中，在下导体层(100)上形成介质层(102，106)并且在介质层上形成上导体层(104，108)。然后，本技术在上导体层和介质层上形成蚀刻停止层(200)并且在蚀刻停止层上形成硬掩膜(202)(氧化硅硬掩膜，氮化硅

091 使用突变式金属-绝缘体转变装置的可编程金属-绝缘体转变传感器、以及包括该金属-绝缘体转变传感器的报装置和蓄电池防电路
[摘要] 提供了一种具有可变MIT温度或电压的突变式MIT器件、一种使用所述突变式MIT器件的MIT传感器、以及一种包括所述MIT传感器的报装置和蓄电池防电路。所述MIT器件包括：在转变温度或转变电压处经历突变式MIT的突变式MIT层、以及用于接触突变式MIT层的至少两个电极层。转变温度或转变电压随影响突变式MIT层的以下因素中的至少一个而变化，所述因素包括：施

021 金属-绝缘体-金属电容器及制造方法
[摘要] 一种用于MIM电容器的方法和结构，所述结构包括：电子器件，其包括：在半导体衬底上形成的层间介电层；在层间介电层中形成的铜底部电极，所述底部电极的上表面与所述层间介电层的上表面共面；直接与所述底部电极的上表面接触的导电扩散阻挡层；直接与导电扩散阻挡层的上表面接触的

047 使用具有绝缘体覆层的磁性金属条带的磁性装置
101 金属-绝缘体-金属(MIM)装置及其制备方法
088 高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
036 堆叠式金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
040 生产具有半导体或绝缘体的金属复合团簇的方法及装置
112 绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体管及制备方法
010 光诱导绝缘体表面金属化方法
052 高性能金属 绝缘体 金属结构的电容器及其制备方法
070 自对准双侧面垂直金属-绝缘体-金属电容
046 具有注入漏极漂移区和厚底部氧化物的沟槽金属-绝缘体-半导体器件及其制造方法
002 具有金属-绝缘体-金属电容器的集成元件
102 铝层的生长方法及金属-绝缘体-金属板
103 一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构
098 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
107 用于使用金属绝缘体转变装置来控制晶体管的辐射热的方法和电路
076 利用金属绝缘体突变的温度传感器和具有该温度传感器的报器
089 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
110 使用保形绝缘体层形成互补金属元件
031 包含金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
084 高容量花塞的金属绝缘体涂层
081 金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
127 一种金属-绝缘体-金属射频测试结构
124 金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法
095 用于电缆绝缘体移位连接的金属端子
079 沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法
028 铜制金属-绝缘体-金属电容器
111 氧化硅薄膜及金属-绝缘体-金属型电容的形成方法
042 金属-绝缘体-金属电容器之电极的制造方法
037 具有金属-绝缘体-金属电容器的半导体器件及制造方法
005 场增强金属绝缘体-半导体 金属绝缘体-金属电子器
108 绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管
123 一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
004 超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
092 连续测量金属-绝缘体转变元件的突变的金属绝缘体转变的电路以及利用此电路的金属-绝缘体转变传感器
012 金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
029 金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构及其制作方法
085 改良的金属-绝缘体-金属电容器
105 三端金属-绝缘体转变开关、包括该转变开关的开关系统和控制该转变开关的金属-绝缘体转变的方法
062 金属-绝缘体变容管器件
086 AlN GaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管及其制作方法
022 使用突变金属-绝缘体转变装置保护电和 或电子系统的电路以及包括该电路的电和 或电子系统
035 形成金属-绝缘体-金属电容的方法
054 形成金属-绝缘体-金属电容器的方法及所形成器件
017 增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计
113 结构为金属-绝缘体-金属的电容器制造方法
015 具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件
050 镶嵌式金属绝缘体金属电容结构与自对准氧化工艺
001 金属－绝缘体－金属电容器制造方法
018 通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
075 金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
068 包括金属-绝缘体-金属电容器的集成电路装置和半导体装置
059 金属-绝缘体-金属电容器
014 一种金属－绝缘体－金属开关器件的制法
116 金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
039 用于将铜与金属-绝缘体-金属电容器结合的方法和结构
074 突变金属-绝缘体转变装置、使用该突变金属-绝缘体转变装置的高压噪声消除电路、和包含该电路的电气和 或电子系统
104 采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件
038 增加金属-绝缘体-金属电容器的单位面积电容密度的方法
032 具金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
078 金属绝缘体金属电容器及其制造方法
090 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
093 用于制作用于高质量金属-绝缘体-金属电容器的导板的方法
087 高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
030 金属-绝缘体-金属电容器及互连结构
118 金属-绝缘体-金属电容器的制造方法
009 具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构
044 形成金属-绝缘体-金属电容器的方法及其形成的电容器
020 金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
096 半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法
077 制造金属-绝缘体-金属电容器的方法
100 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
072 金属-绝缘体开关晶体管及其制造方法
063 金属-绝缘体-金属结构及其形成方法
080 金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
016 一种技术快速光电响应材料金属 绝缘体嵌埋团簇膜及制备
120 包括金属绝缘体转变装置的高电流控制电路、以及包括该高电流控制电路的系统
122 绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管
069 在同一层次处制造金属绝缘体金属电容器和电阻器的方法
114 金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法
117 用于片上系统技术的金属-绝缘体-金属结构
094 具有改善尺寸可缩放性的金属镶嵌式金属-绝缘体-金属器件
043 双镶嵌结构中的金属-绝缘体-金属电容结构及制造方法
025 采用突跃金属-绝缘体变换的存储器件及其操作方法
061 金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法
064 采用突变金属-绝缘体转变层的装置及其制造方法
006 硅锗 绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
125 深亚米级堆叠并联金属 绝缘体 金属结构电容器
045 采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件
051 金属绝缘体半导体晶体管和互补金属氧化物半导体晶体管
055 金属-绝缘体-半导体器件的制造方法
099 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
023 金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法
056 具有金属绝缘体膜电阻器的半导体存储器件
121 沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法
083 具有并联导电层的突变金属-绝缘体转变装置
053 包括金属绝缘体材料的晶体管及其制造方法
119 用于防止金属绝缘体相变装置的自发热的电路和用于制作该电路的集成装置的方法
034 金属-绝缘体-金属电容结构及其制法
060 包括金属绝缘体金属电容器的集成电路及其制造方法
126 一种深亚米级金属-绝缘体-金属结构电容器
007 具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构
082 用于形成金属绝缘体金属电容器的方法和结构
041 金属绝缘体金属电容器
066 低消耗功率金属-绝缘体-半导体半导体装置
065 金属 绝缘体 金属电容结构的半导体装置
013 垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
019 金属－绝缘体－金属二极管及其制造方法
097 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
106 金属 绝缘体类纳米颗粒材料和薄膜磁传感器
003 金属-绝缘体-金属电容器及其制作方法
024 集成电路中“金属-绝缘体-金属”电容器结构及其制造方法
073 突变金属-绝缘体转变晶片、该晶片的热处理设备与方法
058 一种高密度可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构
109 绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管
033 包括突然金属-绝缘体相变器件的电流跳变控制电路
071 石油测井仪器专用非金属复合材料绝缘体与金属体的粘接方法
026 利用回蚀制造的金属-绝缘体-金属电容器
008 金属－绝缘体－金属型非线性元件的制造方法、金属－绝缘体－金属型非线性元件及液晶显示装置
067 集成的金属-绝缘体-金属电容器和金属栅晶体管及方法
115 金属-绝缘体-金属电容结构及其制作方法
048 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器
049 包括金属-绝缘体-金属电容器排列的半导体器件

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