深圳市世纪煦阳电子有限公司
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TEL:0755-85260989
2SK3878 封装:TO-3P
击穿电压:900——950V
低频噪声系数:50
输入超压保护:50
栅源击穿电压:508v
漏源动态电阻:2——5Ω
用途:CHOP/斩波、限幅
种类:绝缘栅MOSFET
材料:GE-N-FET锗N沟道
导电方式:增强型
沟道类型:N沟道
低频跨导:1μS
极限电流:1A
夹断电压:1V
漏泄电流:0.2A
漏源击穿电压:900v
最大耗损功率:4mW
最大漏源电流:5mA
极限电压:5V
开启电压:5V
饱和漏电流:5——5A
![](http://img.china.alibaba.com/img/ibank/2013/747/879/925978747_114427890.jpg)
![](http://img.china.alibaba.com/img/ibank/2013/028/879/925978820_114427890.jpg)
直流输入电阻:5——52W