可根据客户要求定制：以下参数仅供参考。
1. 氧化层硅：标准SiO2层厚度3000A, 5000A，其它厚度可根据客户要求定制
2. 氮化硅片：表面100nm厚度氮化硅SiN层，其他厚度可据客户要求定制
3 SOI（Silicon-on-insulator）绝缘硅（顶层单晶硅-绝缘氧化埋层-硅衬底）
可采用键合工艺也可采用注氧工艺，同时可接
受特殊工艺的加工服务，最大的满足客户的要求。

质量保障：
-- 生产工艺安全按照SEMI标准
-- 每步工艺有严格监控
-- 产品质量属于高级级别
-- 批量生产
-- 供货周期快速，仅需一周
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