供应士兰微SVF4N65T原厂推荐货源         SVF4N65T.F.M.D.MJ.K.S

快恢复二极管(FRD) SFR12S20T SFR16S20T SFR20S20T SFR16S40T SFR08S40T2 SFR10S40T2 SFR08S60T2, F2, D SFR20U20PN SFR08S60AF2,T2 SFR80F40PN SFR60F30PN SFR25U20PN SFR15F120T2 SFRD92-02PN SFR08S70D SFR4204PN SFR50F60PN SFR30F60PN,T2 SFR20F60T2

飞捷电子【联系电话：075588257825 15622829450 企业 QQ：2355410666 】是最专业的功率器件分销商，致力于全面推广华晶,士兰微,IR国际整流器件,无锡硅动力,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件,
 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
早在2006年，杨先生开始关LED的发展，确信新一代LED是将来第三代的新光源，让客户使用高信价比的LED电源解决方案，为此我们和无锡硅动力展开深入合作，让客户对价格满意，
对质量放心是客户也是飞捷人追求的目标，为此我们整合全球资源，为客户提供整套的LED电源解决方案，达到共赢的局面！
分立器件
以士兰微电子先进、稳定的芯片生产线工艺制造平台和强大的产能为基础，公司开发出了多种半导体分立
器件产品，主要应用于高压功率和特殊结构的器件产品领域，是国内最具规模的器件供应商，部分产品已
经入国际知名品牌企业并被大量采用。同时，士兰微电子还大力投入了目前最先进的SiC(碳化硅)和AaN（
氮化镓）化合物材料功率器件的研发。
S-Rin™系列高压耗尽型MOS产品
SVD501DEAG
F-Cell™系列高压MOS产品
SVF1 N60M.MJ.B.D.N
SVF2N60T.F.M. MJ.D.N.NF
SVF2N65F.N.MJ
SVF2N70F.M.D.NF.MJ
SVF2N80AD
SVF3N80T.F.M.MJ.D
SVF4N60T.F.M.MJ.K.D
SVF4N65T.F.M.D.MJ.K.S
SVF4N70F
SVF4N80F.D.MJ
SVF830T. F. D. MJ.M
SVF5N60T.F.MJ.D
SVF5N80T.F.MJ
SVF6N60F,MJ,D,S
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SVF7N65F.K.S
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SVF12N60T. F. S. K
SVF12N65T, F, K,S
SVF13N50T. F. PN
SVF13N60AF
SVF18N50T. F. PN
SVF20NE50PN
SVF20NE60PN
SVF20N50F.PN
SVF20N60F.PN
SVF9N65F
SVF9N90 F. PN
SVF3N50D.MJ
SVF4N90F
SVF9N60T
SVFiN65MJ
SVF18N60F
SVF7N65AF
SVF740F,T
SVF10N80F,K
SVF2NSOF,D,NF,MJ
SVF11N90PN
SVF730M,F,T,D
SVF23N50PN
SVF25NE50PN
SVF1N50B
SVF18NE50PN
SVF11N60F, T
SVF11NE90PN
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SVF4N60BF
SVF14N50F
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概 述飞捷电子【联系电话：075588257825 15622829450 企业 QQ：2355410666 】


  
该类方案主要以士兰微电子AC-DC产品为主控芯片，以手机充电器、DVD电源、DVB适配器及PC电源设计为主要应用方向。主芯片SD484X系列特性。


内置PWM控制电路和高压功率MOSFET。相对于控制电路和功率MOSFET分立来说，降低了成本，提高了电路的可靠性。
MOSFET的导通电阻最大值规格分别有：16.8欧姆、9.6欧姆、6.0欧姆、4.8欧姆、3.6欧姆。对应的峰值电流最大值为：0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根据实际芯片所需的输出功率进行选择。
主芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI，最高效率可以达到80％以上。
启动电压和输出电压均可调节，目前电路可以提供的功率范围为：窄电压范围5~18W，宽电压范围7~21W。
内置的15ms软启动电路，减小了主芯片启动时变压器的应力。
主芯片的开关频率为67KHz，振荡产生的频率抖动，可以降低EMI。
在待机模式下，主芯片进入打嗝模式，从而有效地降低主芯片的待机功耗。
主芯片内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定，过压保护，脉冲前沿消隐，过流保护和温度保护功能。在主芯片发生保护以后，芯片可以不断自动重启，直到系统正常为止。
 
    
 
优 势


  
依托士兰集成650V MOSFET、650V BCD、25V BCD特殊工艺平台，优化了电源构架（正激、反激、半桥、有源箝位、临界导通、连续导通），可应用于交直流转换的电源产品。所涉及到的产品方案性能高，功耗低，属于绿色电源管理方案，方案实现便利。
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