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GaN高频器件支持高频率、大功率接收器的应用，如具有大功率、高效率和高频带宽的卫星通信、VSAT、无线电通信、雷达
、基站等。
GaAs高频器件支持高频收发器的应用，如卫星通信、VSAT、无线电通信、雷达、DBS、SDARS、GPS、汽车雷达、无线通信、
基站、移动电话和WiMAX CPE等。
高频硅器件广泛应用于频率为1GHz以下的便携式无线通信设备中，以放大其传输功率。
GaAs大功率内部匹配型用/分立FETs设计用于在各种系统中使用的大功率、高效率和低失真功率放大器。
低噪音GaAs FETs/HEMTs/InGaP HBT及其MMICs设计用于在DBS/SDARS/GPS/车辆等中使用的低噪音、高增益和低失真功率放大器。
GaAs功率放大器设计用于在移动设备、PC数据通信和WiMAX CPE等中使用的大功率、高效率和低失真功率放大器。
三菱半导体产品主要用途
卫星通信、VSAT、无线电通信、点对点通信、雷达、DBS、SDARS、GPS、汽车、基站、移动电话、PC数据通信、WiMAX、测量设备、太空使用等
VSAT
Very Small Aperture Terminal（小型卫星地面站）
DBS
Direct Broadcasting Satellite（直播卫星）
SDARS
Satellite Digital Audio Radio Service（卫星数字音频广播）
GPS
Global Positioning System（全球定位系统）
WiMAX
Worldwide Interoperability for Microwave Access（微波存取全球互通
7.2V 输出功率高硅MOS场效应晶体管
RD02MUS1/RD02MUS2/RD02MUS1B RA03M8894M RA07M3340M/4047M/4452M RA07M2127M/RA03M9595M(8V)/RA07M3843M
RA07M1317MSA RA07M1317M/RA07M0608M/RA07M4047MSA/4452MSA RA03M3540/4043/4547MD
RA02M8087MD RA03M8087M RD01MUS2 RD01MUS1 RD12MVP1 RD12MVS1 RD09MUP2 RD05MMP1 RD07MVS2/RD07MVS1B/RD07MUS2B
9.6V 输出功率高硅MOS场效应晶体管
RA08N1317M RA07N3340M/4047M/4452M
12.5V 输出功率高硅MOS场效应晶体管
RD00HHS1/RD06HHF1/RD16HHF1/RD70HHF1 /RD70HVF1/RD60HUF1/RD45HMF1/RD20HMF1/RD30HVF1/RD30HUF1
RD00HVS1/RD15HVF1/RD100HHF1 RD06HVF1 RA08H1317M RA13H1317M RA06H8285M RA20H8087M RA20H8994M RA07H0608M
RA07H3340M/4047M/4452M RA13H3340M/4047M/4452M RA45H4047M/4452M RA30H0608M RA55H3340/3847/4047/4452M
RA60H4047M1/4452M1 RA60H1317M1A RA60H1317M RA45H7687M1 RA45H8994M1 RA30H2127M RA35H1516M/RA33H1516M1
RA30H1317M/RA30H1317M1 RA30H1721M RA30H3340M/4047M/4452M/4047M1/4552M1 RA05H8693M(14V) RA05H9595M(14V)
RA01L9595M (3.3V) RA13H8891MB /RA01L8693MA (3.3V)
高输出功率金属氧化半导体场效应晶体管
30MHz :
RD00HHS1/RD06HHF1/RD16HHF1/RD70HHF1/RD100HHF1
175/520MHz:RD00HVS1/RD01MUS1/RD01MUS2/RD02MUS1/RD02MUS1B/RD02MUS2/RD06HVF1/RD07MVS1B
/RD07MVS2/RD12MVS1/RD15HVF1
RD30HVF1/RD30HUF1/RD70HVF1/RD60HUF1/RD12MVP1/RD09MUP2
900MHz :RD20HMF1 RD45HMF1 RD05MMP1 RA01L8693MA RA01L9595M/RA02M8087MD/RA03M8087M/ RA03M8894M/ RA03M9595M/
RA05H8693M /RA05H9595M /RA06H8285M
RA13H8891MA /RA13H8891MB /RA20H8087M/ RA20H8994M/ RA45H7687M1/ RA45H8994M1
66-88MHz:RA07M0608M /RA07H0608M /RA30H0608M
135-215MHz:RA07M1317M/RA07M1317MSA/RA08N1317M/RA08H1317M/RA13H1317M/RA30H1317M/RA30H1317M1/RA60H1317M/
RA60H1317M1A/RA33H1516M1/RA35H1516M/RA30H1721M
215-270MHz:RA07M2127M RA30H2127M
330--520MHz:
RA03M3540MD/RA03M4043MD/RA03M4547MDRA07M3340M/RA07M3843M/RA07M4047M/RA07M4047MSA/RA07M4452M/RA07M4452MSA/RA0
7N3340M/RA07N4047M/RA07N4452M/RA07H3340M/RA07H4047M/RA07H4452M/RA13H3340M/RA13H4047M/RA13H4452M/RA30H3340M/R
A30H4047M/RA30H4047M1/RA30H4452M/RA30H4552M1/RA45H4047M/RA45H4045MR/RA45H4452M/RA55H3340M/RA55H3847M/RA55H40
47M/RA55H4452M/RA60H4047M1/RA60H4452M1
砷化镓场效应晶体管系列,微波宽带低噪声放大器:
MGF1403B*/MGF1907A/MGF1908A/MGF4941AL /MGF4953A/MGF4931AM/MGF4934BM /MGF4934CM /MGF4935AM /MGF4953B
MGF4961B
砷化镓场效应晶体管系列微波波段高功率放大器:
MGF0907B*/MGF0909A/MGF0910A*/MGF0911A*/MGF0913A/MGF0915A/MGF0918A/MGF0920A/MGF0921A/MGF0805A /MGF0951P/MGF0
952P/MGF0953P/MGF1451A */MGF1951A/MGF1952A/MGF1953A/MGF1954A/MGF2407A*/MGF2415A*/MGF2430A*/MGF2445A*
MGF4851A
镓场效应晶体管系列WiMAX基站：MGFC36V3436/MGFC39V3436/MGFC42V3436/MGFC45B3436B /MGFS45B2527B /MGFC47B3436B /MGFC47B3538B
砷化镓场效应晶体管系列C波段高功率放大器:
MGFC36V4450A/MGFC36V5258/MGFC36V5964A/MGFC36V6472A/MGFC40V4450/MGFC40V5258/MGFC40V5964/MGFC40V6472/MGFC42V44
50/MGFC42V5258/MGFC42V5964A/MGFC45V4450A/MGFC45V5964A/MGFC47V5864/MGFC47A4450
砷化镓场效应晶体管系列X / Ku波段高功率放大器：MGFK38A3745/MGFK41A4045/MGFK44A4045
砷化镓射频放大器：MGFS34E2327 /MGFS34E3338 /MGFS36E2325 /MGFS36E2527 /MGFS36E3436A /MGFS39E2527 /MGFS39E3336
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