镓的熔点为29.78℃ (纯度为4N)，它在超过30℃时呈液体状，与汞（水银）类似。密度为5.907g/cm3。纯镓的过冷度（在熔点以下仍然是液体）可达-40℃。蒸汽压特别低。 

化合物半导体材料是制造光电子器件最基础的功能材料，如砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、氮化镓（GaN）等。它们主要用于制造激光器、红外和可见光的发光二极管、微波器件、高效太阳能电池、超高速集成电路等，广泛地使用于通讯、宇航、工业、军事、医学等各个高科技领域。上世纪90年代，根据世界上用镓量最大的日本和美国统计，用于光电元件、集成电路的镓，约占镓的消费量的95%以上。 

尤其当前全世界能源紧缺，为节约用电，开发新的节能光源已是世界各国面临的重大课题。氮化镓制造的可发蓝光并进一步发白光的发光二极管已成为当今最新最有前途的节能光源。 

LED在各种照明上都取得长足的进步，现在可逐步替代荧光灯、聚光灯、安全照明，并已开始进入低能量的家庭用灯泡。LED背光电视机已问世，因其使用寿命长，图像对比度和色彩比液晶电视更显得生动和鲜艳，发展很快。全世界LED的产量极大，而且后道工艺主要在中国，据报道2010年中国生产的LED产品市场已超过人民币1000亿元。 

因此，作为用MOCVD制造氮化镓最重要的原料三甲基镓（Ga(CH3)3）的镓用量迅速增加。MOCVD是制造薄膜半导体材料的新方法，它可用来制造砷化镓、氮化镓、镓铝砷（AsGaAl）薄膜等,用于制造高亮度LED、多层高效太阳能电池等，用途广泛，因此三甲基镓用镓量今后还会有大幅度增加。 

近年来，新一代永磁材料钕铁硼已在高科技领域得到广泛的应用。钕铁硼添加很少量的镓（约千分之几）可提高居里温度和强化磁性能。因此镓作为高性能强磁材料钕铁硼的添加剂，且价格相对较低，用量有较大幅度的增加。当然，在镓的用途中这仍只占少部分。尤其本世纪以来，日本把许多钕铁硼生产企业转移到中国，镓的用量增加显著。 

最新研制成功的铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池，被称为第三代太阳能电池。它的光吸收率高，薄膜厚度仅2～3μm大大降低了昂贵材料的消耗，制造成本低仅晶体硅太阳能电池的1/2～1/3左右，有人认为它是一种相当发展前途的太阳能电池材料。虽然其中镓的成分只10%，但推广后镓的用量也不可估量。 

还有很少量的镓用于制造冷焊剂、低熔点合金、牙科合金、超导体等。