'FQPF33N10L − N 沟道 QFET®
MOSFET 100V,18A,52mΩ
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
产品特性- "
- 18A, 100V, RDS(on) = 52mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 9A栅极电荷低(典型值:30nC)
- 低 Crss(典型值70pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 175°C最大结温额定值"
应用场景'