功能描述 XY-110是有源PFC非隔离降压型恒流驱动集成电路 ,内部集成高压500V MOSFET,采用DIP-8封装,LED电流可以输出高达260mA,XY-110采用谷底开关模式,自适应电感感量和输出电压的变化,只需要很少的外围器件来实现恒流驱动LED 启动 启动电流很低,典型值为 70uA(最大值为 100uA) ,如果设 计系统交流 85V 启动时,启动电阻为: 芯片供电 XY-110 启动后,需要输出电压给芯片供电,整流二极管 D6 需选用快恢复二极管。限流电阻 R4 的计算公式为: 其中 D 为占空比,400uA 为芯片正常工作电流,Vled 为输出负载电压,该电阻功耗:举例如下:方案需求:输入电压为 180~260,输出 36~80V,输出电流240mA。设计上述方案电阻R4时,应满足: 1、 最低输入交流电压 180V,最低输出电压 36V 时芯片的供电问题 此时供电弱最 ,D=36/180/1.414=0.141,R4=(1-0.141)*(36-9)/400uA=58K; 2、 最高输入交流电压 260V,最高输出电压 80V(此时供电 最,强) 时 ,该电阻的功耗问题,此时D=80/260/1.414=0.218,该电阻上的功耗为: P=(80-9)*(80-9)/58 *
(1-0.218)=68 mW。 采样电阻 XY-110 是一款专用于 LED 高 PF 值非隔离降压型控制器,系统工作在谷底开关模式,只需要很少的外围器件即可实现高精度的恒流输出。系统实时连续检测电感上的峰值电流,CS端连接芯片内部,并与内部 200mV 的电压进行比较,内部运放的输出 COMP 调节导通时间,使得 CS 的平均值在系统稳定后等于 200mv, 此外 CS 内部还设置了 1V 的逐周期过流保护阈值。 FB 电压检测 FB 端的电压决定了系统的工作状态,当 FB 端电压大 于1.6V(典型值), XY-110 会自动判断为输出过压保护, 系统会进入极为省电的打嗝模式,输出过压保护电压如下R2,R3 请参考典型应用图,其中 R3=1K,(不要高于 2K) ,上述公式中常数 1.6 在设计系统时用 1.3,假设 Vovp=90V,从上述公式中可以算出 R2=56K, 这里我们可以取 60k 电阻(尽量选大的标称值)。由于 VFB2 在 1.3-1.9 之间,选择 C4 电容耐压时,应选用 1.9 来计算,Vovp =1.9*(1+60)/1 =116V,而 C4 耐压选择必须高于该电压,这里可以选取 200V 电容。XY-110 在进入打嗝模式后,自动检测输出电压,当输出电压低于 Vovp 时,系统会重新进入正常工作状态。 输出开(短)路保护 XY-110内部集成了输出开(短)路保护, 一旦检测到输出开(短)路,系统会自动进入打嗝模式, 直到开(短)路保护条件除去。 过热自动调节输出电流 XY-110具有过热调节功能, 在驱动电源过热时逐渐减小输出电流,从而控制输出功率和温升,使电源温度保持在设定值,以提高系统的可靠性。芯片内部设定过热调节温度点为135℃。 输入滤波电容 为了获得高 PF 值,输入电容不能太大,建议取 10-100nF在设计 XY-110 PCB 时,需要遵循以下指南:旁路电容: VCC 的旁路电容需要紧靠芯片 VCC 和 GND 引脚。地线 :电流采样电阻的功率地线尽可能短,且要和芯片的地线及其它小信号的地线分头接到 Bulk 电容的地端。功率环路 :功率环路的面积要尽量小,以减小 EMI 辐射。 芯片远离续流二极管等发热元件。 |