DDR3 ECC LONG-DIMM LV
創見DDR3低電壓ECC LONG-DIMM記憶體採用頂級顆粒與元件所製而成，完整通過縝密的實驗室測試，以確保其優異效能。每支記憶體裡擁有內建錯誤改正功能(Error Correcting Code)，能偵測資料並有效修正錯誤。配合1.35伏特超低額定電壓優勢，不僅為記憶體控制器帶來更小的電力負荷，相較於標準1.5伏特的記憶體，進而為企業降低15%耗電量。
特色
JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V)
8 bit pre-fetch
Burst Length: 4, 8
Internal calibration through ZQ pin
On Die Termination with ODT pin
Serial presence detect with EEPROM
Asynchronous reset
On DIMM Thermal Sensor support
Support ECC error detection and correction
100% tested for stability, compatibility and performance
規格
記憶體類型 DDR3 ECC Unbuffered DIMM
頻率 DDR3-1600
Rank數 1 Rank/ 2 Ranks
針腳數 240Pin
容量 4GB / 8GB
顆粒組態 512Mx8
時序 11-11-11
電壓 1.35V
電路板高度 1.18 Inches
工作溫度 0 ~ 85 ℃
