容量：6.8~1500uF  2.5~25V
 偏差：M=±20%  120Hz，20℃
 系列：φ3 φ4 φ5 φ6.3 φ8 φ10
 特点1、4?6.3，105，1000小时保证
     2、立式小型化的芯片类型5.5毫米高电容
     3、专为表面安装高密度PC板
     4、符合RoHS标准
     5、包装方式及数量：盘装，2000pcs/盘。铝电解电容介质损耗
电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示（在电容器的等效电路中，串联等效电阻ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ，这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。显然，Tan δ随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大）。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。散逸因数dissipationfactor(DF)存在于所有电容器中，有时DF值会以损失角tanδ表示。此参数愈低愈好。但铝电解电容此参数比较高。
DF值是高还是低，就同一品牌、同一系列的电容器来说，与温度、容量、电压、频率……都有关系；当容量相同时，耐压愈高的DF值就愈低。此外温度愈高DF值愈高，频率愈高DF值也会愈高