嵌入式闪存主控芯片 慧荣闪存主控芯片用于采用CF、USB及SSD界面的闪存嵌入式应用。应与手机、导航、DVD播放机等设备。 种类：嵌入式存储 品牌：慧荣 应用领域： 平板电脑； 智能手机； eMMC； Silicon Motion的嵌入式闪存主控芯片适用于采用CF、USB及SSD界面的闪存嵌入式应用。我们的嵌入式解 决方案主要分为两大类，一种是直接焊在消费性电子品PCB板上的主控芯片，另一种则是嵌入式闪存中与 闪存组件封装在一起的裸晶(die)。 应用范围包括手机、卫星导航装置、低价计算机、工业用计算机、DVD播放机、数码摄像机及Networking 设备。所有Silicon Motion的嵌入式闪存控制芯片皆支持商业等级运作温度 (0℃ – +70℃)及工业等级 运作温度 (-40℃ – +85℃)，并提供长期支持。 模块图 EM3255 型号 标准 Flash界面 封装 电压 其他 SM2232EN CF6.0 2-CH TQFP128 5V/3.3V SM2236 CF6.0 4-CH TFBGA144 5V/3.3V SM2244 SATA-II 4-CH TFBGA225 5V/3.3V SM2244LT SATA-II 4-CH QFN88 5V/3.3V EM3255 USB2.0 1-CH LQFP48 5V/3.3V EM3260 USB2.0/3.0 2-CH QFN64/88 5V/3.3V H26M64001EMR 32GB 1xnm Flash 64Gb 4 eMMC 4.5 11.5x13x1.0 H26M78003BFR 64GB 2ynm Flash 64Gb 8 eMMC 4.5 12x16x1.2
SK Hynix eMMC 4.5系列
提供8GB-64GB存储容量，采用1xnm NAND Flash，符合eMMC45.0规范标准。
种类：嵌入式存储 品牌：SK 海力士
应用领域： 平板电脑； 智能手机
SK Hynix以生产和提供PC和移动电子产品等IT设备必需的DRAM和NAND Flash为主力产品。随着智能手机和
平板等设备日益具增，人们对存储芯片的需求也越来越多，SK Hynix技术发展层层突破，以持续不断的研
究投资为基础，对市场需求作出高效、快速回应，快速推出新品、迅速推向市场
型号 容量 NAND Flash Die容量 堆叠 规范 封装
H26M31003GMR 4GB 2ynm Flash 32Gb 1 eMMC 4.5 11.5x13x1.0
H26M31001HPR 4GB 1xnm Flash 32Gb 1 eMMC 4.5 11.5x13x0.8
H26M42003GMR 8GB 2ynm Flash 32Gb 2 eMMC 4.5 11.5x13x1.0
H26M41001HPR 8GB 1xnm Flash 64Gb 1 eMMC 4.5 11.5x13x0.8
H26M52003EQR 16GB 2ynm Flash 64Gb 2 eMMC 4.5 12x16x1.0
H26M54003EMR 16GB 2ynm Flash 32Gb 4 eMMC 4.5 11.5x13x1.0
H26M52001FMR 16GB 1xnm Flash 64Gb 2 eMMC 4.5 11.5x13x1.0
H26M64003DQR 32GB 2ynm Flash 64Gb 4 eMMC 4.5 12x16x1.0
H26M64001EMR 32GB 1xnm Flash 64Gb 4 eMMC 4.5 11.5x13x1.0
H26M78003BFR 64GB 2ynm Flash 64Gb 8 eMMC 4.5 12x16x1.2
unt: g���� (@>*64GB 二代19nm NAND eMMC5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx0.8mmToshiba eMMC 5.0系列
容量从4GB-128GB，采用东芝19nm NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机和平板等移动设备
种类：嵌入式存储 品牌：东芝
应用领域： 平板电脑； 智能手机
东芝eMMC V5.0嵌入式存储模块符合JEDEC发布的JEDEC eMMC 5.0版标准。采用19纳米第二代工艺技术制造
的NAND芯片，11.5 x 13mm的小型FBGA封装，容量从4GB-128GB容量。主要应用于智能手机、平板电脑和数
字摄像机等广泛的数字消费品，批量生产从11月底开始。
能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的高密度NAND闪存芯片的需求不断增长。这在包含控制器功能
的嵌入式存储器领域尤为明显，这种嵌入式存储器可以使开发要求降至最低，并使得整合进系统设计更加
便利。东芝正通过增强其高密度存储器产品系列来满足这一需求。
该公司的新型32 GB嵌入式设备在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit（相当于8GB）NAND芯片
（采用东芝的19纳米第二代尖端工艺技术制造）和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDEC eMMC
5.0版标准，并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。
东芝将在密度为4GB至128GB的单一封装嵌入式NAND闪存系列中使用这些NAND芯片。所有设备都将整合一个
控制器来管理NAND应用的基本控制功能。
型号 容量 NAND Flash 规范 封装 尺寸 其他
THGBMBG6D1KBAIL 8GB 二代19nm NAND eMMC5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx0.8mm
THGBMBG7D2KBAIL 16GB 二代19nm NAND eMMC5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx0.8mm
THGBMBG8D4KBAIR 32GB 二代19nm NAND eMMC5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx1.0mm
THGBMBG9D8KBAIG 64GB 二代19nm NAND eMMC5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx0.8mm
Sandisk iNAND Extreme™系列
Sandisk推出的5.0规范的eMMC，采用第二代闪迪19纳米(nm) 技术，存储器容量高达128GB。
种类：嵌入式存储 品牌：闪迪
应用领域： 平板电脑； 智能手机
Sandisk推出的iNAND Extreme 嵌入式存储器大幅提升多媒体同步速度、文件传输速率和操作系统响应能
力，以提供流畅、丰富的多媒体播放和快速的应用程序加载功能，可有效改善终端用户体验。
iNAND Extreme 是一个小型、节能的闪存存储器，可提供高达 128GB 的存储空间。这款闪存器采用闪迪
的 1 ynm工艺技术，在缩小内存单元尺寸的同时确保性能或可靠性不变。iNAND Extreme 专门针对新一代
平板电脑、智能手机和其他移动设备设计，与众多高级集成开发工具兼容，有助于缩减成本和加快投入市
场的速度。
1ynm技术增加容量、缩小尺寸
iNAND Extreme 采用行业领先的闪迪1ynm制造工艺，为智能手机、平板电脑和其他移动电子产品提供一流
性能。此工艺采用第二代闪迪 19 纳米 (nm) 技术，可将存储单元尺寸从 26 纳米缩减为 19x19.5 纳米
，减幅达 25%。这使得 EFD 体积变小，存储容量变大，而且支持多种消费类产品。
智能闪存
iNAND Extreme 利用智能闪存技术，不仅提供存储数字内容的能力，同时也符合更严格的顺序和随机性能
要求，以确保强大的用户体验。这将提供快速启动应用程序、流畅的多任务处理和快速云访问功能。
高响应度和可靠度的性能
借助其下一代移动硬件和软件架构，iNAND Extreme 具有超快的响应速度，并可在设备的整个使用寿命期
间提供始终如一的高性能。其双核、双渠道和基于分页的创新架构确保了低延时以及多任务处理和成像应
用所需的极速读取性能。增强的读写耐久性和电源抗扰性延长了产品的整体使用寿命。
针对高清视频优化
对于拍摄高分辨率和 3D 视频内容或者与移动设备传输大型文件，快速的顺序读写性能至关重要。高性能
的嵌入式闪存存储可以大幅提升多媒体同步速度、文件传输速率和操作系统响应能力。
前所未有地节省空间
iNAND Extreme 采用闪迪的1ynm工艺技术，稳定实施了针对嵌入式大容量存储闪存的 e.MMC 5.0 HS400
规格，尺寸仅为 11.5x13 毫米且厚度仅为 1.0 毫米，存储器容量却高达 128GB。这有助于满足手机、平
板电脑等消费类电子产品轻薄便携的设计需求，从而将这些设备中的更多空间用于存放电池、相机等功能
部件。
系列 容量 规范 速度(读) 速度(写) 随机读 随机写 其他
iNAND Extreme 16GB eMMC 5.0 300MB/秒 80MB/秒 3K IOPS 6K IOPS
iNAND Extreme 32GB eMMC 5.0 300MB/秒 80MB/秒 3K IOPS 6K IOPS
iNAND Extreme 64GB eMMC 5.0 300MB/秒 80MB/秒 3K IOPS 6K IOPS
iNAND Extreme 128GB eMMC 4.51 150MB/秒 45MB/秒 800 IOPS 4K IOPS3S eMMC 控制芯片
3S闪存盘控制ICSSS6130和SSS6131，支持USB 3.0传输接口，TLC或MLCNAND Flash
种类：嵌入式存储 品牌：鑫创
应用领域： 平板电脑； 智能手机； eMMC；
eMMC是Flash控制IC与闪NAND Flash封装后而成。eMMC 为JEDEC协会所订立的内嵌式内存标准规格，具有
简化内存设计的优点，封装采用多芯片封装(MCP)技术将控制IC和NAND Flash封装成单一组件。eMMC 兼具
数据储存以及取代NOR Flash支持系统开机功能，广泛应用于智能型手机、平板、智能盒子、智能电视等
产品中。
鑫创eMMC控制IC完全符合eMMC规范，产品兼容性高，为生产eMMC厂商的最佳选择。其中SSS5550符合
eMMC4.5规范，不过已在2014年停产，SSS5551符合eMMC4.51规范，支持双通道MLC Flash，已于2013年底
开始量产，SSS5552符合eMMC 5.0规范，采用55nm工艺技术于2014年Q4开始量产
型号 NAND Flash 技术 规范 尺寸 功耗 其他
SSS5551 256GB TLC/MLC Flash 110nm eMMC4.51 6190x1916 130uA
SSS5552 256GB TLC/MLC Flash 55nm eMMC5.0 85uASK Hynix eMMC 5.0系列
提供8GB-64GB存储容量，采用1xnm NAND Flash，符合eMMC 5.0规范标准。
种类：嵌入式存储 品牌：SK 海力士
应用领域： 平板电脑； 智能手机
SK Hynix以生产和提供PC和移动电子产品等IT设备必需的DRAM和NAND Flash为主力产品。随着智能手机和
平板等设备日益具增，人们对存储芯片的需求也越来越多，SK Hynix技术发展层层突破，以持续不断的研
究投资为基础，对市场需求作出高效、快速回应，快速推出新品、迅速推向市场
型号 容量 NAND Flash Die容量 堆叠 规范 封装
H26M41103HPR 8GB 1xnm Flash 64Gb 1 eMMC 5.0 11.5x13x0.8
H26M52001FPR 16GB 1xnm Flash 64Gb 2 eMMC 5.0 11.5x13x0.8
H26M52103FMR 16GB 1xnm Flash 64Gb 2 eMMC 5.0 11.5x13x1.0
H26M64103EMR 32GB 1xnm Flash 64Gb 4 eMMC 5.0 11.5x13x1.0
H26M78103CMR 64GB 1xnm Flash 64Gb 8 eMMC 5.0 11.5x13x1.0
H26M78103CCR 64GB 1xnm Flash 64Gb 8 eMMC 5.0 11.5x13x1.2
Sandisk iNAND Standard系列
提供8GB、16GB存储容量，采用X3/TLC Flash技术，且符合eMMC 4.51+ HS200规范。
种类：嵌入式存储 品牌：闪迪
应用领域： 移动存储； 平板电脑； 数码产品； 智能手机
iNAND Standard是SanDisk推出的第四代eMMC解决方案，存储容量为8GB、16GB，采用自2010年开发的
X3/TLC NAND Flash技术打造，且符合高速eMMC 4.51+ HS200规格，提供反应快速、品质可靠的平价、储
存产品。
iNAND Standard是SanDisk针对移动市场的全系列嵌入式解决方案系列产品之一，适用于板电脑、智能手
机、电子书阅读器、个人媒体播放机等移动设备，具备更快的反应能力、强化多工处理功能和浏览效能、
延长电池续航力，以及提升使用者体验
系列 容量 规范 速度(读) 速度(写) 随机读取 随机写入 其他
iNAND Standard 8GB eMMC 4.51 最高100MB/秒 最高4.5MB/秒 最高3K IOPS 最高
100 IOPS
iNAND Standard 16GB eMMC 4.51 最高100MB/秒 最高7.5MB/秒 最高3K IOPS 最高
Toshiba eMMC 5.0系列
容量从8GB-128GB，采用东芝15nm NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机和平板等移动设备。
种类：嵌入式存储 品牌：东芝
应用领域： 平板电脑； 智能手机； 嵌入式存储
东芝推出嵌入式存储产品，采用东芝15nm制程的NAND Flash，这款新品符合最新的eMMC 5.0规范，封装规
格153Ball FBGA，有多种尺寸规格。可以广泛运用在消费类数码产品，包括智能手机，平板电脑和可穿戴
设备的设计上。
新eMMC产品集成东芝最先进的15nm工艺Flash和控制器，比同类产品小26%的封装尺寸，还提供更快的读写
性能，读取速度最大快大约8%，写速度最大快20%。
型号 容量 NAND Flash 规范 封装 尺寸 其他
THGBMFG6C1LBAIL 8GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx0.8mm
THGBMFG6C1LBAIT 8GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11mmx10mmx0.8mm
THGBMFG7C2LBAIL 16GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx0.8mm
THGBMFG7C2LBAIW 16GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11mmx10mmx1.0mm
THGBMFG7C1LBAIL 16GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx0.8mm
THGBMFG8C4LBAIR 32GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx1.0mm
THGBMFG8C4LBAIW 32GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11mmx10mmx1.0mm
THGBMFG8C2LBAIL 32GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx0.8mmTHGBMFG9C8LBAIG 64GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11.5mmx13mmx1.2mm
THGBMFG9C8LBAIX 64GB 东芝15nm Flash eMMC 5.0 153Ball FBGA 11mmx10mmx1.2mm
