Superjunction MOSFET英国进口

北京特博万德科技有限公司独家代理英国ICEMOSTECH的高品质SOI wafer和 SuperJunction MOSFET。

SOI wafer尺寸: 4”(100mm）,5”（125mm）,6”（150mm） and  8"（200mm）

SOI Spec. 规格：

     1-    Bonded SOI wafer (绝缘硅上键合硅片）

                          For4”(100mm）,5”（125mm）,6”（150mm）

                     ---- Handle wafer minimum 300um maximum 1000um,

                     ---- Buried Oxide, minimum 0.1 um, maximum 4 um,

                     ---- Device layer minimum 2 um, max 500 um.

                          For 8"（200mm）

                     ---- Handle thickness minimum 500um and maximum 675um,

                     ---- Buried Oxide minimum 0.1 um, maximum 4 um,

                     ---- Device layer minimum 5 um, maximum 500 um.

2-       Si-Si direct wafer bonding (replacement for epi) 硅-硅直接键合，可替代外延片

     100mm,125mm,150mmand200mm, thickness as specified above.

3-       Engineered SOI, Double SOI (DSOI), Trench Isolation SOI (dielectric isolation),

      Cavity SOI (for pressure sensor, gyro and accelerometer sensor, microfludic etc.)

      and finally Through Silicon Via (TSV)   

 ----  Cavity SOI - Bonded SOI or Silicon silicon DWB wafers with cavities performed within the wafer

 ---- Multiple SOI 2 or 3 or more layers of SOI designed around your process

 ---- Structured wafers silicon wafers or SOI with buried electrode layers, vias, interconnect already incorporated

     4-     SOI + Trench & Refill

 Features

• Significant die shrink compared to conventional dielectric isolation

     (DI) or junction isolation

• Bulk quality top silicon layer
• Total device-to-device isolation
• Lower substrate capacitance than bulk
• Fully flexible specification on SOI, Trench and refill parameters

5-   Superjunction MOSFET

产品信息

产品规格说明

soi硅片一些常用的制备方法

1. SIMOX

        SIMOX是注氧隔离技术的简称。特博科技采用SIMOX(注氧隔离技术)在普通圆片的层间注入氧离子以形成隔离层。此方法有两个关键步骤：离子注入和退火。
        在注入过程中，氧离子被注入圆片里，与硅发生反应形成二氧化硅沉淀物。然而注入对圆片造成相当大的损坏，而二氧化硅沉淀物的均匀性也不很好。随后进行的高温退火能帮助修复圆片损坏层并使二氧化硅沉淀物的均匀性保持一致。这时圆片的质量得以恢复而二氧化硅沉淀物所形成的埋层具有良好的绝缘性。 

2. Bonding

        通过在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之间使用键合技术，两个圆片能够紧密键合在一起，并且在中间形成二氧化硅层充当绝缘层。键合圆片在此圆片的一侧削薄到所要求的厚度后得以制成。
        这个过程分三部来完成。第一部是在室温的环境下使一热氧化圆片在另一非氧化圆片上键合；第二部是经过退火增强两个圆片的键合力度；第三部通过研磨、抛光及腐蚀来减薄其中一个圆片到所要求的厚度。

3. Simbond

     在传统的键合和离子注入技术的基础上，特博及其合作伙伴发展了制备绝缘硅材料的又一种方法：Simbond。 即在硅材料上注入离子，产生了一个分布均匀的离子注入层。此层用来充当化学腐蚀阻挡层，可对圆片在最终抛光前器件层的厚度及其均匀性有很好的控制。采用特博科技首创的Simbond技术制备的绝缘硅片具有优越的绝缘硅薄膜均匀性，同时也能得到厚的绝缘埋层。

SIMOX, Bonding和Simbond三种方法比较

SOI应用

北京特博万德绝缘硅圆片优势主要有以下特点：

1.提高运行速度
在特定的电压下，建在新绝缘硅材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%，这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。

2.降低能量损耗
北京特博绝缘硅材料能降低近30%-70%的能量消耗，特别适用于对能量消耗比较高的领域。

3.改进运行性能
北京特博绝缘硅材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温，对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。

4.减小封装尺寸
特博绝缘硅材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。