发光器件铟生产工艺专利配方技术
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043 发光器件及其制造方法
[摘要] 一种发光器件的制造方法，包括形成由导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
036 一种改进的有机发光器件
[摘要] 一种改进的有机发光器件结构为层状结构，即在表面设有氧化铟锡-ITO透明导电玻璃基片上面先后设置七层材料，层为4，4’，4”-三(N-3-苯基-N-苯基-氨基)三苯胺，第二层为2，9-二-4，7-二苯基-1，110-二氮杂菲，即BCP层，第三层为N，N’-二(萘基-2-基)-N，N’-二苯基-双二氨基联苯，第四层为三-(8-羟基喹啉)铝-Alq3
022 发光元件、发光器件和半导体器件
[摘要] 本发明的目的是提供一种半导体器件，具体地，提供一种可通过湿法容易地制造的发光元件。本发明的一个特征是包含晶体管和发光元件的发光器件。在所述发光元件中，有机层、发光层、以及第二电极被顺序地形成在电极上，并且晶体管通过布线与发光元件电连接。这里，所述布线包含铝、碳和钛。所述有机层是通过湿法形成的。与所述有机层相接触的电极是用包含二氧化钛的氧化锡铟制成的。
004 含有多孔硅的电致发光器件
[摘要] 一种电致发光器件（１０）包含靠近体材料硅区（２０）的多孔硅区（２２），以及铟锡氧化物的顶部电接触（２４）和底部的铝电接触（２６）。该器件包括用来提供欧姆接触的重掺杂区（２８）。多孔硅区（２２）由穿过体材料硅的离子注入表面层进行的阳极化来制备。在离子注入和阳极化阶段之间硅保持不被退。器件（１０）在多孔硅区（２２）之中有一个整流P－N结。
048 ZnO纳米/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件
[摘要] 本发明公开了一种ZnO纳米/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，它是在阳极氧化铟锡导电玻璃(1)上，制备垂直其表面的ZnO纳米(2)，使ZnO纳米的长度保持在100～150nm；在ZnO纳米(2)上，制备有机发光层(3)，而后制备阴极铝(4)；用直流驱动，ZnO纳米作为空注入层和传输层，而有机发光材料作为电子注入层和传输层。有机发光材料为有机聚合物或小分子材料。利用ZnO纳米和有机发光层直接复合、而不需要中间绝缘层，这样可以减少器件制备的成本，并且提高ZnO纳米在真空紫外的。
040 基于色的白光有机电致发光器件及其制备方法
034 具有混合发光层的有机电致发光器件
054 生长在模板上以减小应变的Ⅲ族氮化物发光器件
032 一种有机发光显示器件电极基板
059 铟镓铝氮半导体发光器件及其制备方法
021 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
027 氮化物半导体发光器件
033 具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构
001 氮化物半导体发光器件
024 铟镓铝氮发光器件
023 一种提高有机电致发光器件寿命的方法
051 有机发光器件和包括该有机发光器件的有机发光显示装置
049 氮化物半导体发光器件
029 化合物半导体发光器件及其制造方法
050 一种有机顶发光器件的阴极及其制造方法
047 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
058 半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
006 含有保护层的有机发光器件
005 半导体发光器件及其制造方法
060 有机电致发光二极管器件
019 有机电致发光器件铟锡氧化物电极的处理方法
052 氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法
025 氮化物半导体发光器件
018 电极层、包括该电极层的发光器件、以及形成电极层的方法
026 氮化物半导体发光器件
002 半导体发光器件双异质结构及发光二极管
020 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
042 粉末型电场致发光器件的制造方法
012 氮化物半导体发光器件的制造方法
044 红光稀土有机配合物电致发光器件的制备方法
046 含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法
057 一种铟砷量子点有源区结构及发光器件
009 基于荧光染料的白光有机电致发光器件及其制备方法
028 一种有机电致发光器件及其制备方法
007 场增强的发光平板显示器件
053 氮化物半导体发光器件
041 发光器件和发光器件封装
013 一种有机顶发光器件及其制造方法
016 具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
011 氮化物半导体发光器件
010 双磷光染料共掺杂白光有机电致发光器件及其制备方法
008 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
017 发光器件及其制造方法
015 白色有机电致发光器件的制备方法
003 氮化物半导体发光器件
045 双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法
030 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
039 氮化物半导体发光器件及其制备方法
031 近红外有机电致发光材料与器件及器件的制备方法
014 电致发光器件
056 一种有机发光显示器件的电极基板
038 一种Si/SnO2异质结电致发光器件及其制备方法
055 一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法
037 一种性能改进的有机发光器件
035 发光元件、发光器件和电子器件
以上65项技术包括在一张光盘内
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客服QQ：5479 78981 517161662
[摘要] 一种发光器件的制造方法，包括形成由导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
036 一种改进的有机发光器件
[摘要] 一种改进的有机发光器件结构为层状结构，即在表面设有氧化铟锡-ITO透明导电玻璃基片上面先后设置七层材料，层为4，4’，4”-三(N-3-苯基-N-苯基-氨基)三苯胺，第二层为2，9-二-4，7-二苯基-1，110-二氮杂菲，即BCP层，第三层为N，N’-二(萘基-2-基)-N，N’-二苯基-双二氨基联苯，第四层为三-(8-羟基喹啉)铝-Alq3
022 发光元件、发光器件和半导体器件
[摘要] 本发明的目的是提供一种半导体器件，具体地，提供一种可通过湿法容易地制造的发光元件。本发明的一个特征是包含晶体管和发光元件的发光器件。在所述发光元件中，有机层、发光层、以及第二电极被顺序地形成在电极上，并且晶体管通过布线与发光元件电连接。这里，所述布线包含铝、碳和钛。所述有机层是通过湿法形成的。与所述有机层相接触的电极是用包含二氧化钛的氧化锡铟制成的。
004 含有多孔硅的电致发光器件
[摘要] 一种电致发光器件（１０）包含靠近体材料硅区（２０）的多孔硅区（２２），以及铟锡氧化物的顶部电接触（２４）和底部的铝电接触（２６）。该器件包括用来提供欧姆接触的重掺杂区（２８）。多孔硅区（２２）由穿过体材料硅的离子注入表面层进行的阳极化来制备。在离子注入和阳极化阶段之间硅保持不被退。器件（１０）在多孔硅区（２２）之中有一个整流P－N结。
048 ZnO纳米/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件
[摘要] 本发明公开了一种ZnO纳米/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，它是在阳极氧化铟锡导电玻璃(1)上，制备垂直其表面的ZnO纳米(2)，使ZnO纳米的长度保持在100～150nm；在ZnO纳米(2)上，制备有机发光层(3)，而后制备阴极铝(4)；用直流驱动，ZnO纳米作为空注入层和传输层，而有机发光材料作为电子注入层和传输层。有机发光材料为有机聚合物或小分子材料。利用ZnO纳米和有机发光层直接复合、而不需要中间绝缘层，这样可以减少器件制备的成本，并且提高ZnO纳米在真空紫外的。
040 基于色的白光有机电致发光器件及其制备方法
034 具有混合发光层的有机电致发光器件
054 生长在模板上以减小应变的Ⅲ族氮化物发光器件
032 一种有机发光显示器件电极基板
059 铟镓铝氮半导体发光器件及其制备方法
021 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
027 氮化物半导体发光器件
033 具有含铟盖层结构的Ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构
001 氮化物半导体发光器件
024 铟镓铝氮发光器件
023 一种提高有机电致发光器件寿命的方法
051 有机发光器件和包括该有机发光器件的有机发光显示装置
049 氮化物半导体发光器件
029 化合物半导体发光器件及其制造方法
050 一种有机顶发光器件的阴极及其制造方法
047 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
058 半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
006 含有保护层的有机发光器件
005 半导体发光器件及其制造方法
060 有机电致发光二极管器件
019 有机电致发光器件铟锡氧化物电极的处理方法
052 氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法
025 氮化物半导体发光器件
018 电极层、包括该电极层的发光器件、以及形成电极层的方法
026 氮化物半导体发光器件
002 半导体发光器件双异质结构及发光二极管
020 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
042 粉末型电场致发光器件的制造方法
012 氮化物半导体发光器件的制造方法
044 红光稀土有机配合物电致发光器件的制备方法
046 含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法
057 一种铟砷量子点有源区结构及发光器件
009 基于荧光染料的白光有机电致发光器件及其制备方法
028 一种有机电致发光器件及其制备方法
007 场增强的发光平板显示器件
053 氮化物半导体发光器件
041 发光器件和发光器件封装
013 一种有机顶发光器件及其制造方法
016 具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
011 氮化物半导体发光器件
010 双磷光染料共掺杂白光有机电致发光器件及其制备方法
008 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
017 发光器件及其制造方法
015 白色有机电致发光器件的制备方法
003 氮化物半导体发光器件
045 双面板型有机电致发光显示器件及其制造方法
030 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
039 氮化物半导体发光器件及其制备方法
031 近红外有机电致发光材料与器件及器件的制备方法
014 电致发光器件
056 一种有机发光显示器件的电极基板
038 一种Si/SnO2异质结电致发光器件及其制备方法
055 一种有机电致发光器件的封装结构和封装方法
037 一种性能改进的有机发光器件
035 发光元件、发光器件和电子器件
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中国农业银行:95599 8101026026 9913 收款人: 王 雷
中国工商银行:9558 8007061002 03233 收款人: 王 雷
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