型号Type

PIR608B-P

封装Encapsulation

TO-5

灵敏元面积Element Size/Type

2.0mm ×1.1mm ×Gap  0.9mm   Dual,双元

基片材料Window Material

硅 Si

基片厚度Window Thickness

0.5mm

窗口尺寸Window Size

3.8×5.0mm

工作波长Pass Band

5.5-14μm   (www.nisaila.com)

平均透过率Transmittance

＞75%

输出信号Signal [Vp-p]

>≥ 3 Vp-p

环境温度 25ºC

黑体温度 420K( 147ºC )

调制频率 1赫兹

放大倍数 72.5 dB（运算放大器5000倍）

Vd= 5V，Rs=47KΩ

灵敏度Sensitivity

3300V/W

探测率(D*)Detectivity

1.5×108 cmHz1/2/W

噪声Noise(Vp-p)

<170mVp-p Max.(Typ. 100mVp-p)

环境温度 25ºC

放大倍数 72.5 dB（运算放大器5000倍）

Vd= 5V，Rs=47KΩ

平衡度Balance

＜15%

工作电压Operating Voltage

2.2-15V

工作电流Operating Current

8.5-24μA

(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)

源极电压Source Voltage

0.4-1.1V

(VD=5V,Rs=47kΩ,25℃)

工作温度Operating Temperature

-30℃- +70℃

保存温度Storage Temperature

-35℃- +80℃

响应时间

加电后信号稳定输出所需时间  <15S

[*]  平衡度 = VAB/|VA+VB| ×100%

          VAB=双元的灵敏度 (mVp-p)

          VA = A单元的灵敏度 ( mVp-p )          VB = B单元的灵敏度 ( mVp-p )

测试方法参见图2及3。

视场Field of View

X:148ºY:139º参见图：4

测试项目

测试条件

测试仪器

测试标准

高温工作

70℃ 72小时

调温箱

测试之后，传感器在自然环境中放置3小时后测电性能。

1.外观无明显变化

2.电性能参数变化在20％以内

耐湿性

60℃，95％RH，72小时

调温调湿箱

低温存储

-40℃ 72小时

调温箱

高温存储

70℃ 72小时

调温箱

热冲击

-40℃，1小时→室温，1小时→70℃，1小时

10个循环

调温箱

自然老化

室外，30天

测试样机

耐焊性

260±5℃，10s

浸入深度3.0mm

焊锡炉

密封

133.3帕，1分钟

真空泵

无气泡产生