YJ4N60C为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
产品特点：
4A,600V，RDS(on)(典型值）1.97Ω
低电荷、低反向传输电容
开关速度快
漏极—漏极电压（VDS）:600V
漏极电流(ID):4A
栅源电压（VGS）:±30V
耗散功率（PD）:36W
结温（TJ）:150℃
储存温度(Tstg):-55~150℃
详细参数：请参照产品规格书或直接来电咨询

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