深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售磁控溅射用的靶材。关于阴极弧（也就是离子镀），磁控溅射，以及坩埚蒸发都属于PVD（物理气相沉积），坩埚蒸发主要是相变，蒸发靶材只有几个电子伏特的能量。所以膜附着力小，但沉积率高，多用于光学镀膜。磁控溅射中氩离子冲击靶材使靶材原子和分子碎片沉积在零件，靶材材料动能可达数百甚至上千电子伏特能量。是真正的中性的纳米级镀膜。阴极弧起弧后一方面靶面高温将材料冶金融化，强大电场然后将融化材料几乎完全离子化，在靶电源和零件偏压综合作用下成膜。看起来阴极弧镀较先进，其实不然。首先靶面溶化过程很随机不可控制，离子成团镀到零件。镀件均匀性和光滑性难以保证。通俗点讲阴极弧镀是真空下的焊接过程，阴极弧电源和焊接电源原理上很近似。阴极弧技术主要源于前苏联，在我国因种种原因较普及，电源简单是很大一个因素。但技术不断进步。近年过滤阴极弧技术发展较快，避免了成膜不均匀的缺点，但有所得必有所失，过滤使沉积率减小而设备成本增高。

深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售的靶材应用于微电子领域。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是最苛刻的。如今12英寸 （3 0 0衄 口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅 片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒， 这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性

已被认为是影响薄膜沉 积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过去99.995 %（4 N5）

纯度的铜靶，或许能够满 足半导体厂商0.3 5pm 工艺的需求，但是却无法满足如今0.2 5um的工艺要求， 而未米的 0.18um }艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达 到5甚至 6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更 低的电阻率，能够满足！导体工艺在0 .25um 以下 的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导 致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡

层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50n m，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻 挡层用靶材包括 T a 、W、T a S i 、WS i 等．但是T a 、W 都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。