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JEDEC标准
DDR速度等级:400 mbps
内存组织:×8的TSOP II DRAM芯片
DDR内存接口:SSTL_25
CAS延迟:3-3-3
带宽:3200 mb / s
VDD电压:2.6 + -0.1 v
VDDQ电压:2.6 + -0.1 v
标准OP温度:0℃~ + 70℃
连环与eepm存在检测。
PCB高度:1.18英寸
通过无铅认证
简介
DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4 G，可显著提升内存模组的容量。
此为DDR-400 CL3 ECC Unbuffered内存模组。该模组密度从256MB到1GB，由32/64MX8位TSOP II封装的DDR-400同步DRAM组成，用于安装在180脚侧边卡连接器插槽中。
