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JEDEC Standard
DDR2 Speed Grade : 667Mbps
Unbuffered DIMM : 240-pin
Memory Organization : x8 FBGA DRAM chip
DDR2 DRAM interface : SSTL_18
CAS latency : 5-5-5
Bandwidth : 5300MB/s
VDD voltage : 1.8+-0.1V
VDDQ voltage : 1.8+-0.1V
Standard OP Temp.: 0℃~+85℃
Serial presence detect with EEPROM
PCB height : 0.72inch
RoHS Compliant
Application : Desktop
简介


DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4 G，可显著提升内存模组的容量。


此为DDR2-667 CL5 Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到2GB，由64/128MX8位FBGA封装的DDR2-667同步DRAM组成，用于安装在240脚侧边卡连接器插槽中。




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