随着原子序数的增加，铁族元素对SiC的活性也增大。III族过渡金属(其中包括稀土金属)可能与SiC发生反应，生成碳化物与硅化物。这样，尽管大部分过渡金属其有较高的难熔性和耐热性，在研制SiC基金属陶瓷时，不能用它作结合剂。与此同时，向硅熔融物中加入某些过渡金属(Fe、Cr、稀土元素)时，可以提高SiC在其中的溶解度，从而有可能强化半导体用碳化硅单晶体的培育过程。

碳族元素(IV B族)。碳化硅与碳处于平衡状态。SiC在硅中有一定的溶解度，并且随着温度的升高，可以提高到19%。在液态和固态时，锗和硅的相互溶解不受限制。锗不能生成稳定的碳化物;3170℃时碳在液态锗中的溶解度为12%，在锗的熔点(937℃)下溶解度为101%厘米-3，。在大气压力下，Ge不与SiC发生反应，而在25个工程大气压下有可能在SiC中生成锗的固溶体。锡和铝不与碳和硅发生反应，也不使它们溶解。这样，碳化硅只能被硅和锗润湿。同时，如同下面表明的那样，硅能更好地润湿SiC的表面。山于对锡和铅呈惰性，故可以推荐采用碳化硅材料制造与这类金属熔融物接触的炉衬、金属管道成共它部件。

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