采用晶体管生产工艺(新专利配方技术资料)
本溪永昇人力资源开发公司
中国 本溪
产品属性
图文详情
品牌推荐
所在地
本溪
服务内容
专利技术配方资料
温馨提示：以下所有资料，共41项。
1-WX153870 采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列
2-WX153870 采用偏置和端接的PNP晶体管链的静电放电保护电路
3-WX153870 采用SiC开关晶体管的车辆用交流发电机
4-WX153870 采用低反压晶体管的等离子体显示器的驱动器和驱动电路
5-WX153870 采用两个晶体管的双向开关的控制系统
6-WX153870 采用异质结双极型晶体管的功率放大器的控制方法和控制电路
7-WX153870 薄膜晶体管及其制造方法以及采用它的液晶显示器件
8-WX153870 采用非均匀栅氧化层的高压晶体管及其制造方法
9-WX153870 用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的****栅
10-WX153870 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
11-WX153870 对换流器的开关晶体管采用保护电路的电子镇流器
12-WX153870 采用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法
13-WX153870 采用输入控制零阈值阻塞晶体管的电平转接器
14-WX153870 像素间采用共享晶体管的CMOS图像传感器
15-WX153870 光掩模和采用该光掩模的薄膜晶体管阵列面板的制造方法
16-WX153870 采用硅-锗和硅-碳合金的异质结场效应晶体管
17-WX153870 采用双极型晶体管的直流直流转换器其制造方法以及使用它的直流电源模块
18-WX153870 采用不对称传输晶体管的有源像素单元
19-WX153870 薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器
20-WX153870 采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管及其制造方法
21-WX153870 采用绝缘体-半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法
22-WX153870 有机薄膜晶体管的制造方法及采用该制造方法制作的有机薄膜晶体管及其片材
23-WX153870 采用自对准浓硼基区的高频晶体管的制造方法
24-WX153870 采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元
25-WX153870 采用无定形氧化物的场效应晶体管
26-WX153870 采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法
27-WX153870 采用晶体管加热的家用酸奶器
28-WX153870 薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置
29-WX153870 鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法
30-WX153870 采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法
31-WX153870 采用无隔离体场效应晶体管和双衬垫工艺增加应变增强的结构和方法
32-WX153870 采用Ⅲ族-N源极漏极区的拉伸应变NMOS晶体管
33-WX153870 形成多晶硅的方法和采用多晶硅的薄膜晶体管及其制法
34-WX153870 采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构
35-WX153870 采用标准CMOS晶体管实现高耐压的整流器
36-WX153870 制造双极晶体管的方法以及采用该方法得到的双极晶体管
37-WX153870 采用具有常开晶体管的整流器的功率变换器
38-WX153870 一种采用结型场效应晶体管的输入浪涌保护装置
39-WX153870 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
40-WX153870 一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管
41-WX153870 横向PNP晶体管及采用该种晶体管的马达稳速电路
本店提供的技术资料均为发明专利、实用新型专利和科研成果，资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。所有技术资料均为电子图书（PDF格式），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费，邮寄光盘加收15元快递费）。
(1)、银行汇款：
中国农业 银行:95 599 81010 260269913 收款人: 王 雷
中国 工商银行:955 8800 7061002 03233 收款人: 王 雷
单位：辽宁日经咨询有限公司（技术部）
联系人：王雷老师
电 话：024-42114320 31301 61
手 机：139414 07298 13050204739
客服QQ：547 978981 517161662
1-WX153870 采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列
2-WX153870 采用偏置和端接的PNP晶体管链的静电放电保护电路
3-WX153870 采用SiC开关晶体管的车辆用交流发电机
4-WX153870 采用低反压晶体管的等离子体显示器的驱动器和驱动电路
5-WX153870 采用两个晶体管的双向开关的控制系统
6-WX153870 采用异质结双极型晶体管的功率放大器的控制方法和控制电路
7-WX153870 薄膜晶体管及其制造方法以及采用它的液晶显示器件
8-WX153870 采用非均匀栅氧化层的高压晶体管及其制造方法
9-WX153870 用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的****栅
10-WX153870 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
11-WX153870 对换流器的开关晶体管采用保护电路的电子镇流器
12-WX153870 采用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法
13-WX153870 采用输入控制零阈值阻塞晶体管的电平转接器
14-WX153870 像素间采用共享晶体管的CMOS图像传感器
15-WX153870 光掩模和采用该光掩模的薄膜晶体管阵列面板的制造方法
16-WX153870 采用硅-锗和硅-碳合金的异质结场效应晶体管
17-WX153870 采用双极型晶体管的直流直流转换器其制造方法以及使用它的直流电源模块
18-WX153870 采用不对称传输晶体管的有源像素单元
19-WX153870 薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器
20-WX153870 采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管及其制造方法
21-WX153870 采用绝缘体-半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法
22-WX153870 有机薄膜晶体管的制造方法及采用该制造方法制作的有机薄膜晶体管及其片材
23-WX153870 采用自对准浓硼基区的高频晶体管的制造方法
24-WX153870 采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元
25-WX153870 采用无定形氧化物的场效应晶体管
26-WX153870 采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法
27-WX153870 采用晶体管加热的家用酸奶器
28-WX153870 薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置
29-WX153870 鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法
30-WX153870 采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法
31-WX153870 采用无隔离体场效应晶体管和双衬垫工艺增加应变增强的结构和方法
32-WX153870 采用Ⅲ族-N源极漏极区的拉伸应变NMOS晶体管
33-WX153870 形成多晶硅的方法和采用多晶硅的薄膜晶体管及其制法
34-WX153870 采用重掺杂基底的传导基底、逆沟槽和源极接地的场效应晶体管结构
35-WX153870 采用标准CMOS晶体管实现高耐压的整流器
36-WX153870 制造双极晶体管的方法以及采用该方法得到的双极晶体管
37-WX153870 采用具有常开晶体管的整流器的功率变换器
38-WX153870 一种采用结型场效应晶体管的输入浪涌保护装置
39-WX153870 采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
40-WX153870 一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管
41-WX153870 横向PNP晶体管及采用该种晶体管的马达稳速电路
本店提供的技术资料均为发明专利、实用新型专利和科研成果，资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。所有技术资料均为电子图书（PDF格式），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费，邮寄光盘加收15元快递费）。
(1)、银行汇款：
中国农业 银行:95 599 81010 260269913 收款人: 王 雷
中国 工商银行:955 8800 7061002 03233 收款人: 王 雷
单位：辽宁日经咨询有限公司（技术部）
联系人：王雷老师
电 话：024-42114320 31301 61
手 机：139414 07298 13050204739
客服QQ：547 978981 517161662
