在100W充电器方案应用中，第三代半导体材料GaN氮化镓比硅材料具有两个明显的优势

（一）GaN氮化镓材料功率密度更大、散热性能更好

（1）GaN氮化镓材料目前最让人看好的是它具有相比于硅来说好得多的性能，商业价值非常高。

（2）使用硅制作的传统充电器，最大的特点就是散热性很不好，功率高了之后就需要更大的体积来散热，所以大功率的硅充电器都是大大块的，携带起来非常不便。

（3）GaN氮化镓充电器具有更好的散热性，系统功率的情况下，GaN氮化镓充电器的体积要小得多。

（二）GaN氮化镓材料做的大功率充电器更安全

（1）硅充电器最大的缺点就是发热量太大，发热常常让我们感到不安，因为充电器太热很容易让人联想到爆炸。虽说还不至于爆炸，但是危险系数确实是相对较高的。

（3）GaN氮化镓充电器的发热量低很多，发生危险的概率也要低很多，也就是更安全。

聚泉鑫科技结合英诺赛科INN650D01和INN650D02氮化镓功率器件，推出100W氮化镓充电器方案，应用于快充PD充电器产品。

100W氮化镓充电器方案特点：

（1）采用PFC+高频QR反激+同步整流方案（NCP1662+NCP1342 + MP6908）

（2）高频&高效 InnoGaN™ 功率管（INN650D01+INN650D02）

（3）高效可靠的驱动方案

（4）71*56*21.6mm方案尺寸，比同功率等级传统方案小50%

（5）18W/in³的高功率密度

（6）92.5%的峰值效率

（7）4个高功率充电端口，2个USB-C(支持PD3.0)和2个USB-A(支持QC3.0)

（8）所有接口，皆可快充，可同时满足4台设备快速充电

（9）智能功率调节