成都先锋材料有限公司主要生产加工各种高科技薄膜溅射靶材,金属和半导体硫族元素化合物材料,以及各种成分的粉末。
并利用公司强大的材料科学技术力量,为客户提供各种量身定做有关高科技材料方面的技术服务。产品介绍:
GeSbTe是一种相变储存材料,基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术,是一种极具潜力的未来新型半导体存储芯片技术。
产品性能:成分 | Ge,Sb,Te(不同原子比) |
纯度 | 99.99% |
密度 | >98%,6.38g/cm3 |
尺寸 | 50.8mm - 300mm |
公差 | 直径:±0.1mm,厚度:±0.1mm |
粗糙度 | 32RMS |
网页当中提供的数据和图片仅供参考,公司可根据具体客户要求量身定做。
成都先锋材料有限公司是美国先锋材料股份有限公司(Pioneer Materials Inc.)于2008年在成都投资注册的独资公司, 目前注册资本金为400万美元. 公司拥有一批高水平的技术骨干人员,集研发和生产于一体,主要开发和生产用于新 型半导体芯片,薄膜太阳能电池,热电转换设备,光学存储和涂层等新兴技术领域的材料产品,是国家认定的高新 技术企业。 在成都高新技术开发西区,公司拥有13亩地和4000多平方米的厂房设施,已取得ISO9001质量体系及ISO14001环境体系认证。 公司目前有4项有关新型材料的发明专利,13项发明专利正在申请中。公司产品包括上述应用的各种高科技薄膜溅射靶材,金属和半导体硫族元素化合物材料,以及各种成分的粉末。利用公司强大的材料科学技术力量,也为客户提供各种量身定做有关高科技材料方面的技术服务。
公司产品销售欧美,日本,台湾,东南亚以及中国内地市场。
公司使命: 成为在洁净能源,半导体芯片和各种涂层等高科技应用领域的,世界一流的材料供应商。
发展历程
2000年,美国先锋材料有限公司成立。
2008年,在中国成都设立全部由特拉华洲注册的美国公司投资的子公司(美国独资企业)。拥有51,000平方英尺的标准厂房,年产量可达14400片靶材。
2007年,成都先锋材料有限公司是ISO2000质量认证, ISO14001环保体系认证企业。
2008年,成都先锋材料有限公司已经成功开发出了多种高科技材料,其中包括薄膜太阳能电池单一靶材CIGS(铜铟镓硒)和热电转换方面的BiTeSe,BiSbTe金属化合物。
2009年,成都先锋材料有限公司和生产CIGS太阳能电池的设备厂商合作,在产业上进行垂直整合,提供Turn-key方案。 例如,和瑞典的MidSummer合作。
2011年,公司成功开发高尖端的相变半导体存储芯片材料,并与世界一流的半导体厂商进行深入合作。
荣誉资质