新技术的问世奠定了碳化硅的发展方向

    根据最新消息得出：近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平，这预示着我国新一代雷达核心部件材料实现国产化。

    经过大量的实验，我们都可以了解到碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达系统的核心。长期以来，碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化硅（碳化硅微粉、碳化硅颗粒等材料）衬底产品生产、加工难度大，一直是国内空白，国际上只有少数国家掌握该技术，并一直对我国进行技术封锁和产品禁运。

    据了解，碳化硅基微波器件作为当今世界最为理想的微波器件，其功率密度是现有微波器件的10倍，将成为下一代雷达技术的标准，美军干扰机和“宙斯盾”驱逐舰的相控阵雷达已开始换装碳化硅基微波器件产品，军用市场将在未来几年推动碳化硅基微波器件的快速发展。可以说，研制高纯半绝缘碳化硅衬底材料是我国新一代雷达系统获得突破的核心课题之一。

通过这一项新技术，我们都可以看到碳化硅系列产品的发展方向，在有限的资源利用情况下，科技开发充分利用其价值是市场发展中重要的一个标志。