产品特点

每片集成一组巨磁电阻（GMR）惠斯通电桥；差分电压（全桥）输出；测量范围：±0.3mT；灵敏度：2.7mV/V·Oe；供电电压：DC1V～DC15V；频率响应：0～1MHz；工作温度范围：-40℃～125℃；微型表面贴装封装

应用领域

接近开关、角度传感器、转速传感器、位移传感器、电流检测、磁电编码器、电子罗盘、特种弱磁检测领域。

产品说明

SAD 系 列 是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化，导致电桥输出端的电压产生相应的变化，即传感 器 的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。传感器芯片采用一组GMR惠斯通电桥结构，将磁场转化成差分电压（全桥）输出，高灵敏度、低磁滞、低温漂和优 良的 线性度，可以测量±0.5mT的磁场，采用超小型尺寸封装。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。

产品特点

体积微小；低电压供电；DC到1M的频率响应 ；线性工作范围宽、线性度好。

应用领域

产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。

产品说明

SAD02 宽 线性巨磁电阻（GMR）传感器芯片是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化，导致电桥输 出 端的电压产生相应的变化，即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。宽线性巨磁电阻（GMR）传感器芯片采用一组的GMR惠斯通电桥结构，将磁 场转 化成差分电压（全桥）输出，具有宽的测量范围、低磁滞、低温漂和优良的线性度，可以测量±2.5mT的磁场。

产品特点

体积微小；单极响应，不分南北极；灵敏度高；低电压供电；DC到1M的频率响应；线性工作范围宽、线性度好。

应用领域

广泛应用于工业控制、汽车电子、消费电子等领域。

产品说明

SAA系列传感器芯片采用惠斯通电桥形式（图1），该结构可以提供较好的温度补偿。该类传感器通过特殊设计，可产生对磁场敏感的电信号。该类传感器可以用作位置、速度、角度等运动检测，磁介质和电流探测等。

开发配套：

磁传感器输出信号微弱，通常要加后续放大电路，公司后续将推出更多专用信号调理电路芯片，以实现传感器与处理电路的集成化封装，从而可进一步减小整个产品的尺寸和提高产品的可靠。

应
用
领
域

低成本
角度传感器
电子罗盘

当 接 上低 噪声放大器和12～16-bit（位）模数转换器（A/D）时，使用SAD系列GMR传感器可进行高精度的测量。对于低分辨率（3°精度或更大）角 度测量 系统的应用来说，8～10-bit模数转换器可与通用型运算放大器一起使用。图5.2显示了一个使用当前有现货供应组件的典型角度传感器（电子罗 盘）的应 用（单片机略）。角度传感器（双轴罗盘）的基本原理是使两个GMR传感器电桥元件平行于地平面（垂直于重力场），并测量由此产生的模拟输出电压 X和Y。当 放大的GMR传感器电桥电压几乎同时转换成等量数字信号时，就可计算出Y/X的反正切，从而得到与X轴量测方向相关的方位信息。基本原理和详 细应用信息可 查阅有关罗盘系统的应用说明。

磁场探测

对 于 简单 的磁场传感器应用，如磁异常探测器（MAD）和磁力计，也可应用与角度传感器相类似的电路，使用一路、两路或三路磁传感器。在图5.4的电路举例 中，一个 SAD01型号GMR传感器可以和一个低电压工作的双运算放大器一起使用，探测磁场的强度。这个电路也可用于铁质物体的探测，如车辆探测，一种 放置在导体 附近的车流通探测器。在为差分运算放大器增益级选择电阻时并无特别要求，除了要有同值的电阻（例如，两个5kW和500kW的电阻器），要符 合1％或更好 的容差，以拒绝接收共模干扰信号（EMI，RFI）。500kΩ/5kΩ电阻器的比值决定了级增益，可根据具体用途予以优化。使用SAD系 列GMR传感器 的罗盘和磁力计电路的典型增益比在50到500之间。

电流感应

SAD 系 列 可应用在电力、电源、变频器等电流检测系统中，应用时，使GMR传感器靠近一个通电导体，向GMR传感器电桥提供被感应的磁场。图5.5显示了使 用 SAD02系列GMR传感器用作电流传感器的应用电路。注意：一般最佳定位的被测量导体可放置在距传感器电桥约1cm处，且该导体有能力承受从 10mA到 300A的交流或直流电流。基本原理和详细应用信息可查阅有关电流感应传感器的应用说明。