【FD200R12KE3 Infineon英飞凌模块 FD200R12KE3】价格_厂家

品牌

NXP

型号

FD200R12KE3

批号

18+

封装形式

QFP

类型

模拟集成电路

用途

通信

功能

存储器

导电类型

双极型

封装外形

扁平型

集成度

小规模

品质

进口原装

货期

现货

封装

FD200R12KE3

品牌

FD200R12KE3

性质

FD200R12KE3

FD200R12KE3中文资料
功能描述:IGBT 模块 1200V 200A CHOPPER RoHS:否制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1.04 kW
封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )-5
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.9 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS代码: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
零件号别名: FD200R12KE3HOSA1
FD200R12KE3