IR2103S 介绍如下：

一、概述

该IR2103 （ S）是高电压，高转速动力 MOSFET和IGBT驱动器与依赖高低侧参考输出通道。 专有的HVIC8引脚SOICIR2103S和锁存免疫 CMOS技术使rug-gedized单片式结构。 逻辑输入是IR2103与标准CMOS或LSTTL输出兼容， 下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级， 最小驱动器跨导。浮置沟道可以用于开车在工作频率高 达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT 。

二、特点

· 设计为引导操作浮动通道充分运作， 以+ 600V耐负瞬态电压的dV / dt免疫 · 栅极驱动电压范围为10~20V欠压锁定 · 3.3V ， 5V和15V逻辑兼容 · 跨导预防逻辑 · 匹配的传播延迟为两个通道 · 内部设置死区时间 · 高侧输出同相输入HIN · 低侧输出的相位

三、参数图

四、产品图如下：（以下图片为真实拍摄！原装正品！）