一、AMCOM砷化镓场效应晶体管（GaAs FET，good linearity at back-off）

QG封装 塑料封装，小成本，频率高达6GHz，3个散热路径可有效的排热。型号及参数比较如下：

型号                             增益        P1dB      Eff@P1dB    IP3         Vd
AM006MX-QG-R            13dB      22.0dBm    42%        34dBm      5V 
AM012MX-QG-R            13.5dB   25.0dBm    42%        37dBm      5V 
AM024MX-QG-R            13dB      28.0dBm    42%        39dBm      5V 
AM036MX-QG-R            12dB      29.5dBm    42%        42dBm      5V
AM048MX-QG-R            11dB      31.0dBm    42%        43dBm      5V

二、AMCOM QG封装示意图

三、订购需知

AM006MX-QG-R/AM012MX-QG-R/AM024MX-QG-R/AM048MX-QG-R/ 原厂常备现货，交国内1-2周。生产周期4-6周，批次最新15+

因行业特性，具体价格和交期请联系我们确认，马可波罗报价仅供参考！

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