一、AMCOM砷化镓场效应晶体管(GaAs FET,good linearity at back-off),7V,频率高达6GHz。
特点:CU陶瓷封装,小成本,铜钨载体有效的排热。增益在9-11 dB,P1dB高达39.5dBm,效率高达40%。
型号及参数比较如下:
型号 增益 P1dB Eff@P1dB IP3 Vd
AM100MX-CU-R 10dB 35.0dBm 37% 48dBm 7V
AM072MX-CU-R 11dB 34.0dBm 40% 46dBm 7V
AM150MX-CU-R 10dB 36.5dBm 37% 50dBm 7V
AM200MX-CU-R 10dB 38.0dBm 35% 48dBm 7V
AM300MX-CU-R 9dB 39.5dBm 30% 52dBm 7V
二、AMCOM其他砷化镓场效应晶体管
CU封装,8V,GaAs FET
型号 增益 P1dB Eff@P1dB IP3 Vd
AM090WX-CU-R 12dB 37dBm 45% 45dBm 8V
AM120WX-CU-R 11.5dB 38dBm 45% 46dBm 8V
BI封装,14 V,GaAs FET
型号 增益 P1dB Eff@P1dB IP3 Vd
AM005MH2-BI-R 15dB 25dBm 40% 40dBm 14V
AM010MH2-BI-R 15dB 28dBm 40% 43dBm 14V
AM020MH2-BI-R 15dB 31dBm 40% 46dBm 14V
AM120MH2-BI-R 15dB 39dBm 30% 50dBm 14V
BI封装,28 V,GaAs FET
型号 增益 P1dB Eff@P1dB IP3 Vd
AM010MH4-BI-R 19dB 31dBm 30% 46dBm 28V
AM030MH4-BI-R 19dB 36dBm 35% 49dBm 28V
AM032MH4-BI-R 19dB 36dBm 35% 49dBm 28V
三、订购需知
AM100MX-CU-R/AM072MX-CU-R/AM150MX-CU-R/AM200MX-CU-R/AM300MX-CU-R 原厂常备现货,交国内1-2周。生产周期4-6周,批次最新15+
因行业特性,具体价格和交期请联系我们确认,马可波罗报价仅供参考!
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