2220/100UF/16V/X5R智能控制板专用陶瓷积层电容
积层陶瓷电容器是长年累积材料技术及合理的生产技术制造之高信赖性制品。 小型、薄型、轻量、大容量化，寸法精度优,自动装着高生产性佳。残留电感值小，周波数特性良好。绿色制品〈全面无铅制程〉
贴片电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。如：LED照明电源、无线通迅模块电源、智能模块电源、智能摇控数字照相机、汽车电子等一般电子回路及高电压回路、液晶Backlight 之变换器回路。
应用
贴片式陶瓷电容无极性，容量也很小（PF级），一般可以耐很高的温度和电压，常用于高频滤波。陶瓷电容看起来有点像贴片电阻（因此有时候我们也称之为“贴片电容”），但贴片电容上没有代表容量大小的数字。
陶瓷积层贴片电容优势：
1．可以用做出小体积大容量的产品。
2。有助于提高生产效率，可以自动化生产。
3.使用贵金属生产，高稳定性，耐高温，可靠性好，寿命长。
4.可以替代CBB，铝电解，使电子产品小型化，节省空间。产品更美观，性能更优越。
5。陶瓷电ESR小，可以用在部分高频电路，产品工作效率更高。
高压贴片电容的特性：
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3.极高的精确度，在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故最适合于高频，高密度类型的电源
工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I） X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间
介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V :200%
额定电压 500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压 1000v≤ V :120%额定电压
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
(CCT) 宸远科技 陶瓷贴片电容规格：
英制：0805 1206 1210 1808 1812 1825 2220 2225 2211（上下英公规格相对应）
公制：2012 3216 3225 4520 4532 4563 5750 5763 5728（上下英公规格相对应）
低压：6.3V、10V、16V、25V、35V、 45V、 50V、63V、
中压：100V、 150V、 200V、 250V、400V、450V、500V、630V
高压：1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV
容值：1PF（皮法）—220UF（微法）
材质：NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V
精度：±5%（J档）±10%（K档）±20%（M档）
常用规格如下：
1206/0.1UF/200V/X7R
1206/0.1UF/250V/X7R
1206/0.1UF/400V/X7R
1206/0.22UF/100V/X7R
1206/0.47UF/100V/X7R
1206/1UF/100V/X7R
1206/1UF/200V/X7R
1206/2.2UF/25V/X7R
1206/4.7UF/25V/X7R
1206/3.3UF/25V/X7R
1206/10UF/25V/X7R
1206/2.2UF/50V/X7R
1206/2.2UF/100V/X7R
1206/4.7UF/50V/X7R
1206/3.3UF/50V/X7R
1206/10UF/50V/X7R
1206/22UF/10VX7R&X5R
1206/22UF/25VX7R&X5R
1206/47UF/10VX7R&X5R
1206/47UF/16VX7R&X5R
1206/47UF/25VX7R&X5R
1206/100UF/10V/X5R
0805/0.1UF/200V/X7R
0805/0.1UF/250V/X7R
0805/0.22UF/100V/X7R
0805/0.47UF/100V/X7R
0805/1UF/100V/X7R
0805/2.2UF/25V/X7R
0805/4.7UF/25V/X7R
0805/3.3UF/25V/X7R
0805/10UF/25V/X7R
0805/2.2UF/50V/X7R
0805/4.7UF/50V/X7R
0805/3.3UF/50V/X7R
0805/10UF/50V/X7R
0805/22UF/10VX7R&X5R
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1210/0.1UF/200V/X7R
1210/0.1UF/250V/X7R
1210/0.1UF/400V/X7R
1210/0.1UF/500V/X7R
1210/0.22UF/100V/X7R
1210/0.47UF/100V/X7R
1210/1UF/100V/X7R
1210/1UF/200V/X7R
1210/2.2UF/25V/X7R
1210/4.7UF/25V/X7R
1210/3.3UF/25V/X7R
1210/10UF/25V/X7R
1210/2.2UF/50V/X7R
1210/2.2UF/100V/X7R
1210/4.7UF/50V/X7R
1210/3.3UF/50V/X7R
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1210/22UF/10VX7R&X5R
1210/22UF/25VX7R&X5R
1210/47UF/10VX7R&X5R
1210/47UF/16VX7R&X5R
1210/47UF/25VX7R&X5R
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1210/3.3UF/50V/X7R
1210/10UF/50V/X7R
1210/22UF/10VX7R&X5R
1210/22UF/25VX7R&X5R
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1210/47UF/25VX7R&X5R
1210/100UF/10V/X5R高压贴片电容一叠片陶瓷电容器断裂的主要因素
叠片陶瓷电容器最常见的失效是断裂，这是叠片陶瓷电容器自身介 质的脆性决定的。由于叠片陶资电容器直接焊接在电路板上，直接承受 来自电路板的各种机械应力，而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收 来自电路板的机械应力。因此，对于叠片陶资电容器来说，由于热膨胀系 数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是叠片陶瓷电容器断裂的最主要因素。
貼片電容器的制程
一、片式电容的发展:
目前电容有独石、角型、片状、SMT,上述统一为片式电容.
产量情况:日本村田45-50% 日本TDK:18% 美国AVX(日本京瓷1986合并):15%,其他品牌PHILIPPS、松下和台湾生产.中国在大连和肇庆各有一家生产企业
二、生产工艺:
工艺流程:配料 混合 制膜 印刷 压制 切割 烧成 上电极 电镀 分选 编带
解释:配料主要成分石头粉(主要是碳酸钡钛 直径在0.1微米以下)
混合是加粘合剂
制膜有干式(村田和肇庆风华)和湿式(TDK)两种,专业术语叫流延,就是将陶瓷粉末做成膜
印刷是在膜上印刷导电层,当然是小方块的,然后一层一层压制在一起,切割成小块电容(注意单数层和双数层之间的电极一个偏一边,也就是单数偏左双数便右)
烧成就是在1300度下烧24-28小时
上电极就是将单数层和双数层端上银(Ag)浆,银的导电性能好.
电镀是镀镍(Ni),主要是防止银的氧化,然后再镀锡铅合金(因为镍的焊接性能不好)
分选就是检测电容值、Q值和耐压,分选器一分钟可以分选1000个
编带是为了SMT(贴片机贴片)方便
计算公式:C=ξSn/t
C电容值 ξ介质材料的介电常数 S电极面积 n层数 t层间距离
三、测试项目:
1、使用温度:根据材料不一样,使用温度有所区别
NPO:-55到+125度
X7R:-55到+125度
Y5V:-30到+85度
2、额定电压(耐压)
3、外型
4、尺寸:最大是4532,其次有3225 3216 2012 1608 1005 0805 0603 0402
0402是指长4mil 宽2mil mil是毫吋(英毫)=0.001in(英吋)
1公分(cm)=0.3937吋(in)
5、绝缘电阻(IR):10000M欧姆,至少是500倍的容量
6、温度特性:
NPO(温度补偿型的电容) COG 是每度±30个ppm变化范围内,
COH 是每度±60个ppm变化范围内
还有负温度系数电容 电容随着温度升高而降低
PH表示-150±60ppm
RH表示-220±60ppm
SH表示-330±60ppm
TH表示-470±60ppm
VJ表示-750±60ppm
优点:用于高频电路,补偿电路参数
缺点:ξ介质材料的介电常数小,只能做到100pF以下
X7R:ξ介质材料的介电常数不大不下,处于中间值,变化在15%以内
Y5V:ξ介质材料的介电常数大,但电容变化范围+22%到-82%
四、实验要求
1、端子粘着强度,在电容中间加10N(牛顿)/10秒时间端子不脱落
2、PCB弯曲:在90MM的PCB中间焊接电容,弯曲量小于1MM,电容不损伤
3、可焊性:锡炉230±5度 2±0.5秒时间,在显微镜下观察端头上锡面积不得小于75%
4、耐焊性:270±5度 10秒时间,放置24小时后测量电容数值
COG:±2.5%以内
X7R:±7.5%以内
Y5V:±20%以内
五、发展趋势:
1、小型化:1995年 0805占50% 0603占30% 0402占20%
2000年 0805占30% 0603占43% 0402占27%
预计06年0805占不到10% 0603占不到20% 0402占70%以上
2、大容量,3225的电容做到800层、电容量22uF
3、贵金属替代:要求耐高温、电阻率小、不氧化等特性.膜厚度3微米以下 目前最多的是银70/铂30的合金
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