单晶 GaTe（Gallium Telluride）是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长的每

块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很好的

结晶性，层状结构以保证易于剥离。

     我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶

GaTe块体的尺寸可以达到～10mm级别，纯度可以达到99.995% 甚至更高的纯度。

单晶GaTe块体间接带隙为1.65 eV，单层GaTe直接带隙为2.0 eV,我们所合成的单晶

GaTe 没有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的GaTe单晶具有很大的晶畴，可

以得到很大的单层。

  另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。