| 端子数量 | 3 |
| IRF640N最小击穿电压 | 200 V |
| IRF640N加工封装描述 | TO-220AB, 3 PIN |
| IRF640N状态 | DISCONTINUED |
| IRF640N包装形状 | 矩形的 |
| IRF640N包装尺寸 | 凸缘安装 |
| IRF640N端子形式 | THROUGH-孔 |
| IRF640N端子涂层 | 锡 铅 |
| IRF640N端子位置 | 单一的 |
| IRF640N包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| IRF640N结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
| IRF640N壳体连接 | DRAIN |
| IRF640N元件数量 | 1 |
| IRF640N晶体管应用 | 开关 |
| IRF640N晶体管元件材料 | 硅 |
| IRF640N通道类型 | N沟道 |
| IRF640N场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| IRF640N操作模式 | ENHANCEMENT |
| IRF640N晶体管类型 | 通用电源 |
| IRF640N最大漏电流 | 18 A |
| IRF640N额定雪崩能量 | 247 mJ |
| IRF640N最大漏极导通电阻 | 0.1500 ohm |
| IRF640N最大漏电流脉冲 | 72 A |
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