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标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 剪切带（CT） |
FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压（Vdss） | 30V |
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 7A（Ta） |
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 20 毫欧 @ 9.1A，10V |
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 70nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | - |
功率 - 最大值 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
供应商器件封装 | 8-SO |
******买家须知******
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