简介:
DP8205 是双路增强型的N沟道MOSFET。连续电流可达5A. 耐压可达20V。据有低漏电流，低导通电阻等特点。
DP8205典型导通内阻小。为小型TSSOP8/TSOP6封装，内部两管的D级已连通在一起，方便应用。
封装:
此IC有2种封装:
TSSOP-8, TSOP-6。
特征:
      GS间电压：±12V
      GS间漏电流：<100nA
      低导通电阻：<30mR @2.5v
      DS间耐压：20V
      DS间漏电流：<1uA
      控制启动电压：典型0.7v
      DS连续电流：可达5A
     内部二级管压降：<1.2V
应用:       DC-DC转换器
       锂电池保护板
       MP3,MP4,GPS
       移动电源​

型号DW01 功能DW01 是一颗单节锂电池保护芯片，为避免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或损坏而设计 封装SOT-23-6

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特点：
     工作电流低
过充检测4.28V，过充释放4.08V；
过放检测2.4V，过放释放3.0V；
过流检测0.15V，短路电流检测1.3V；
充电器检测；
过电流保护复位电阻；
带自恢复功能,0V充电使能
工作电压范围广；
应用：
单节锂电池保护电路。


Part NoDP8205 PackageTSSOP-8 TypeDual-N Vds（V）20 Vgs max(±V)12 Id max(A)5 PD(W)1.25 Rds(on)10V/4.5V/ 2.5V(mOhm typ)nc/29/34 Vgs(±V)typ4.5/2.5
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